Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

A. Yu. Leĭderman

Последняя известная организация:
Academy of Sciences Republic of Uzbekistan
6
h-индекс
0
i10-индекс
98
Цитирования
45
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
0120510152020162017201820192020202120222023202420252016: Публикации 2, Цитирования 22017: Публикации 1, Цитирования 12018: Публикации 1, Цитирования 82019: Публикации 1, Цитирования 132020: Публикации 1, Цитирования 42021: Публикации 0, Цитирования 22022: Публикации 0, Цитирования 52023: Публикации 0, Цитирования 72024: Публикации 0, Цитирования 82025: Публикации 0, Цитирования 2

История цитирований

0510152020162017201820192020202120222023202420252016: Цитирования 22017: Цитирования 12018: Цитирования 82019: Цитирования 132020: Цитирования 42021: Цитирования 22022: Цитирования 52023: Цитирования 72024: Цитирования 82025: Цитирования 2

История публикаций

01220162017201820192020202120222023202420252016: Публикации 22017: Публикации 12018: Публикации 12019: Публикации 12020: Публикации 12021: Публикации 02022: Публикации 02023: Публикации 02024: Публикации 02025: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

03581020162017201820192020202120222023202420252016: h-индекс 42017: h-индекс 42018: h-индекс 42019: h-индекс 42020: h-индекс 42021: h-индекс 42022: h-индекс 42023: h-индекс 52024: h-индекс 62025: h-индекс 6

Наиболее цитируемые работы

  1. Growth of (GaAs)1 − x (ZnSe) x solid solution films and investigation of their structural and some photoelectric properties20118 цит.
  2. The synergetic phenomena in photoexcited semiconductors19878 цит.
  3. Effect of injection depletion in p-n heterostructures based on solid solutions (Si2)1 − x − y (Ge2) x (GaAs) y , (Si2)1 − x (CdS) x , (InSb)1 − x (Sn2) x , and CdTe1 − x S x20147 цит.
  4. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterostructures with a thick layer of the CdTe1 − x S x solid solution20086 цит.
  5. Mechanism of charge transfer in injection photodiodes based on the In-n +-CdS-n-CdS x Te1 − x -p-Zn x Cd1 − x Te-Mo structure20136 цит.
  6. Double-injection currents in Zn-compensated silicon pin structures19766 цит.
  7. Investigation of current-voltage characteristics of the n-CdS-p-CdTe structure with an extended layer of the intermediate solid solution20095 цит.
  8. Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–x–y (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films20165 цит.
  9. Statistics of Inter‐Impurity Recombination of Electrons and Holes in Semiconductors19685 цит.
  10. Recombination in semiconductors with deep impurities20084 цит.