A.A. Dzhurakhalov
- Последняя известная организация:
- University of Antwerp
3
h-индекс
1
i10-индекс
39
Цитирования
25
Работы
Динамика
Показатели по годам
Обзор цитирований
Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам
- Публикации
- Цитирования
История цитирований
История публикаций
Эволюция h-индекса
Накопительный h-индекс по годам
Наиболее цитируемые работы
- Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy200314 цит.
- Defects emerging in graphene from scattering of 10-100-eV carbon atoms20155 цит.
- Theoretical study of the stable states of small carbon clusters<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mtext>C</mml:mtext><mml:mi>n</mml:mi></mml:msub></mml:mrow></mml:math><mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:mrow><mml:mo>(</mml:mo><mml:mrow><mml:mi>n</mml:mi><mml:mo>=</mml:mo><mml:mn>2</mml:mn><mml:mo>–</mml:mo><mml:mn>10</mml:mn></mml:mrow><mml:mo>)</mml:mo></mml:mrow></mml:mrow></mml:math>20083 цит.
- Ag-Co clusters deposition on Ag(100): an atomic scale study20043 цит.
- Low energy ion scattering by atomic steps on the single crystal surface20043 цит.
- Chain effect for the inverse mass ratio of colliding particles in grazing ion–surface interactions19983 цит.
- Low-energy P+ ion channeling and implantation into Si(110), SiC(110), GaP(110) and GaAs(110)20052 цит.
- Study of ion scattering and dechanneling from surface defect structure by computer simulation20022 цит.
- The ion dechanneling mechanism at grazing scattering on the surface atomic steps20021 цит.
- Computer simulation of sputtering and oxygen desorption processes at grazing ion bombardment of Ag( 110 ) surface20031 цит.