Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

A. Yu. Leyderman

Последняя известная организация:
Academy of Sciences Republic of Uzbekistan
ORCID:
0000-0002-6012-6268
4
h-индекс
1
i10-индекс
43
Цитирования
12
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
01203581020172018201920202021202220232024202520262017: Публикации 0, Цитирования 12018: Публикации 1, Цитирования 32019: Публикации 0, Цитирования 22020: Публикации 2, Цитирования 42021: Публикации 2, Цитирования 32022: Публикации 1, Цитирования 02023: Публикации 0, Цитирования 72024: Публикации 0, Цитирования 52025: Публикации 0, Цитирования 32026: Публикации 0, Цитирования 1

История цитирований

03581020172018201920202021202220232024202520262017: Цитирования 12018: Цитирования 32019: Цитирования 22020: Цитирования 42021: Цитирования 32022: Цитирования 02023: Цитирования 72024: Цитирования 52025: Цитирования 32026: Цитирования 1

История публикаций

01220172018201920202021202220232024202520262017: Публикации 02018: Публикации 12019: Публикации 02020: Публикации 22021: Публикации 22022: Публикации 12023: Публикации 02024: Публикации 02025: Публикации 02026: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

0134520172018201920202021202220232024202520262017: h-индекс 22018: h-индекс 32019: h-индекс 32020: h-индекс 32021: h-индекс 32022: h-индекс 32023: h-индекс 42024: h-индекс 42025: h-индекс 42026: h-индекс 4

Наиболее цитируемые работы

  1. I–V characteristic of p-n structures based on a continuous solid solutions (Si2)1 − xx (CdS) x200913 цит.
  2. Study of the current-voltage characteristic of the n-CdS/p-CdTe heterostructure depending on temperature20108 цит.
  3. Possibility of obtaining the (GaSb)1 − x (Si2) x films on silicon substrates by the method of liquid-phase epitaxy20098 цит.
  4. The thermovoltaic effect in variband solid solution Si1–x Ge x (0 ≤ x ≤ 1)20164 цит.
  5. Effect of Injection Depletion in p-Si–n-(Si2)1 –x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) Heterostructure20184 цит.
  6. Features of polycrystalline silicon fabricated by fivefold remelting in a solar furnace20102 цит.
  7. Processes of Current Transport in p-Si-n-(Si<sub>2</sub>)<sub>1−</sub><i><sub>y</sub></i><sub>−</sub><i><sub>z</sub></i>(GaP)<i><sub>y</sub></i>(ZnSe)<i><sub>z</sub></i> Heterostructure Produced by Liquid Phase Epitaxy20221 цит.
  8. Determining certain physical settings of photocells20110 цит.
  9. Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity20200 цит.
  10. Работа без названия20200 цит.