Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

Ш. А. Мирсагатов

Последняя известная организация:
Kimyo International University in Tashkent
8
h-индекс
5
i10-индекс
145
Цитирования
43
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
01025507510020172018201920202021202220232024202520262017: Публикации 0, Цитирования 42018: Публикации 0, Цитирования 82019: Публикации 0, Цитирования 82020: Публикации 1, Цитирования 112021: Публикации 0, Цитирования 72022: Публикации 0, Цитирования 32023: Публикации 0, Цитирования 512024: Публикации 0, Цитирования 22025: Публикации 0, Цитирования 62026: Публикации 0, Цитирования 7

История цитирований

025507510020172018201920202021202220232024202520262017: Цитирования 42018: Цитирования 82019: Цитирования 82020: Цитирования 112021: Цитирования 72022: Цитирования 32023: Цитирования 512024: Цитирования 22025: Цитирования 62026: Цитирования 7

История публикаций

0120172018201920202021202220232024202520262017: Публикации 02018: Публикации 02019: Публикации 02020: Публикации 12021: Публикации 02022: Публикации 02023: Публикации 02024: Публикации 02025: Публикации 02026: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

03581020172018201920202021202220232024202520262017: h-индекс 52018: h-индекс 52019: h-индекс 52020: h-индекс 62021: h-индекс 62022: h-индекс 62023: h-индекс 72024: h-индекс 72025: h-индекс 72026: h-индекс 8

Наиболее цитируемые работы

  1. Injection photodiode based on an n-CdS/p-CdTe heterostructure201319 цит.
  2. Mechanism of current transport in Schottky barrier diodes based on coarse-grained CdTe films201216 цит.
  3. A p-i-n Model of CdTe/CdS Heterostructures200511 цит.
  4. Injection photodiode based on p-CdTe film201211 цит.
  5. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterojunctions200710 цит.
  6. Ultrasonic annealing of surface states in the heterojunction of a p-Si/n-CdS/n +-CdS injection photodiode20149 цит.
  7. Study of the current-voltage characteristic of the n-CdS/p-CdTe heterostructure depending on temperature20108 цит.
  8. Mechanism of charge transfer in injection photodetectors based on the M(In)-n-CdS-p-Si-M(In) structure20158 цит.
  9. Fabrication and Properties of nSi–pCdTe Heterojunctions20208 цит.
  10. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterostructures with a thick layer of the CdTe1 − x S x solid solution20086 цит.