Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

Kh. Kh. Boltaev

Последняя известная организация:
Westminster International University in Tashkent
4
h-индекс
2
i10-индекс
53
Цитирования
11
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
0120510152020162017201820192020202120222023202420252016: Публикации 0, Цитирования 12017: Публикации 1, Цитирования 52018: Публикации 0, Цитирования 22019: Публикации 0, Цитирования 22020: Публикации 0, Цитирования 42021: Публикации 1, Цитирования 22022: Публикации 1, Цитирования 42023: Публикации 0, Цитирования 82024: Публикации 2, Цитирования 162025: Публикации 2, Цитирования 4

История цитирований

0510152020162017201820192020202120222023202420252016: Цитирования 12017: Цитирования 52018: Цитирования 22019: Цитирования 22020: Цитирования 42021: Цитирования 22022: Цитирования 42023: Цитирования 82024: Цитирования 162025: Цитирования 4

История публикаций

01220162017201820192020202120222023202420252016: Публикации 02017: Публикации 12018: Публикации 02019: Публикации 02020: Публикации 02021: Публикации 12022: Публикации 12023: Публикации 02024: Публикации 22025: Публикации 2

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

0134520162017201820192020202120222023202420252016: h-индекс 22017: h-индекс 22018: h-индекс 22019: h-индекс 22020: h-индекс 22021: h-индекс 22022: h-индекс 22023: h-индекс 32024: h-индекс 42025: h-индекс 4

Наиболее цитируемые работы

  1. Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation201319 цит.
  2. Structure and electronic properties of nanoscale phases and nanofilms of metal silicides produced by ion implantation in combination with annealing201414 цит.
  3. Influence of ion bombardment on the profile of the depth distribution of impurity atoms in Si used for solar cells and diode structures20148 цит.
  4. Composition and Structure of Ga1 – xNa x As Nanolayers Produced near the GaAs Surface by Na+ Implantation20177 цит.
  5. Composition of uncontrolled impurities and their chemical states and depth profiles at the Al-Si interface20153 цит.
  6. Injectivity and Nuclearity Properties for Real C*-Algebras20241 цит.
  7. Analyzing the Change in the Composition of a CdTe Surface upon Implanting $$O_{2}^{ + }$$ Ions and Subsequent Annealing20241 цит.
  8. Injectivity and Nuclearity Properties for Real C*-Algebras20210 цит.
  9. Study of the Composition of Uncontrolled Impurities and the Profiles of Their Distribution at the Ni–CdS Interface20220 цит.
  10. THE RELATION BETWEEN REAL AW*-FACTORS AND ANTI-AUTOMORPHISMS OF INVOLUTIVE (I.E. WITH PERIOD 2) *-(COMPLEX) AW*-FACTORS20250 цит.