Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

F. K. Khallokov

Последняя известная организация:
Bukhara State Medical Institute named after Abu Ali ibn Sino
ORCID:
0000-0002-7020-0257
4
h-индекс
2
i10-индекс
49
Цитирования
14
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
0358100510152020172019202120232024202520262017: Публикации 1, Цитирования 02019: Публикации 1, Цитирования 02021: Публикации 3, Цитирования 72023: Публикации 1, Цитирования 72024: Публикации 6, Цитирования 172025: Публикации 2, Цитирования 142026: Публикации 0, Цитирования 4

История цитирований

0510152020172019202120232024202520262017: Цитирования 02019: Цитирования 02021: Цитирования 72023: Цитирования 72024: Цитирования 172025: Цитирования 142026: Цитирования 4

История публикаций

03581020172019202120232024202520262017: Публикации 12019: Публикации 12021: Публикации 32023: Публикации 12024: Публикации 62025: Публикации 22026: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

0134520172019202120232024202520262017: h-индекс 02019: h-индекс 02021: h-индекс 22023: h-индекс 32024: h-индекс 42025: h-индекс 42026: h-индекс 4

Наиболее цитируемые работы

  1. Electronic irradiation of TlInSxSe2−x (x = 1): Morphology, structure and raman scattering202113 цит.
  2. Study of the influence of electronic radiation on the surface, structure and Raman spectrum of a TlInS2 single crystal202113 цит.
  3. Structure, morphology and properties of ZnS crystal irradiated by electrons of different fluences20248 цит.
  4. Resistivity and Tensoresistive Characteristics of TlInSe2–CuInSe2 Solid Solutions20195 цит.
  5. Surface evaluation of carbonitride coating materials at high temperature: an investigation of oxygen adsorption on crystal surfaces by molecular dynamics simulation20244 цит.
  6. Influence of electron irradiation on the band gap and microhardness of TlInS <sub>2</sub> , TlInSSe and TlIn <sub>0.99</sub> Cr <sub>0.01</sub> S <sub>2</sub> single crystals20243 цит.
  7. Single crystals of TlIn1 – x Co x Se2 (0 ≤ x ≤ 0.5) solid solutions as effective materials for semiconductor tensometry20171 цит.
  8. Changes in the Structure and Properties of Silicon Carbide under Gamma Irradiation20231 цит.
  9. Correction: Surface evaluation of carbonitride coating materials at high temperature: an investigation of oxygen adsorption on crystal surfaces by molecular dynamics simulation20241 цит.
  10. Influence of accelerated electrons on the structure, crystallite size and surface of a TlIn1-xCrxS2 crystal with x = 0.0120210 цит.