Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

А. Yusupov

Последняя известная организация:
Tashkent University of Information Technology
ORCID:
0000-0001-7967-0098
5
h-индекс
0
i10-индекс
52
Цитирования
28
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
013450510152020172018201920202021202220232024202520262017: Публикации 2, Цитирования 12018: Публикации 2, Цитирования 02019: Публикации 1, Цитирования 32020: Публикации 1, Цитирования 42021: Публикации 4, Цитирования 32022: Публикации 5, Цитирования 72023: Публикации 2, Цитирования 92024: Публикации 1, Цитирования 42025: Публикации 2, Цитирования 132026: Публикации 0, Цитирования 5

История цитирований

0510152020172018201920202021202220232024202520262017: Цитирования 12018: Цитирования 02019: Цитирования 32020: Цитирования 42021: Цитирования 32022: Цитирования 72023: Цитирования 92024: Цитирования 42025: Цитирования 132026: Цитирования 5

История публикаций

0134520172018201920202021202220232024202520262017: Публикации 22018: Публикации 22019: Публикации 12020: Публикации 12021: Публикации 42022: Публикации 52023: Публикации 22024: Публикации 12025: Публикации 22026: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

0134520172018201920202021202220232024202520262017: h-индекс 12018: h-индекс 12019: h-индекс 12020: h-индекс 22021: h-индекс 22022: h-индекс 32023: h-индекс 32024: h-индекс 32025: h-индекс 42026: h-индекс 5

Наиболее цитируемые работы

  1. Self-heating effect in nanoscale SOI Junctionless FinFET with different geometries20216 цит.
  2. Increasing Die Durability in Cold Stamping by Quenching with Intermediate Tempering20226 цит.
  3. The Effect of the Fin Shape and Thickness of the Buried Oxide on the DIBL Effect in an SOI FinFET20186 цит.
  4. Experimental Assessment of the Nonuniform Radiation-Induced Space-Charge Distribution in the Surface Region of Silicon20015 цит.
  5. The Self-Heating Effect in Junctionless Fin Field-Effect Transistors Based on Silicon-on-Insulator Structures with Different Channel Shapes20215 цит.
  6. Simulation of DIBL effect in 25 nm SOI-FinFET with the different body shapes20174 цит.
  7. Characterising lateral capacitance of MNOSFET with localised trapped charge in nitride layer20183 цит.
  8. Anomalous Behavior of Lateral C–V Characteristic of an MNOS Transistor with an Embedded Local Charge in the Nitride Layer20193 цит.
  9. The effect of geometrical sizes on efficiency of vertical silicon tunnel junction solar cell for high solar concentration20222 цит.
  10. The contribution of gate and drain voltages to temperature distribution along the channel in 2D MoS<sub>2</sub> based MOSFET20212 цит.