Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

Kh. N. Juraev

Варианты имени: Kh.N. Juraev · Khimmatali Juraev

Последняя известная организация:
Tashkent Institute of Irrigation and Agricultural Mechanization Engineers
ORCID:
0000-0001-8963-3848
5
h-индекс
1
i10-индекс
60
Цитирования
27
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
0358100510152020162017201820202021202220232024202520262016: Публикации 1, Цитирования 02017: Публикации 1, Цитирования 32018: Публикации 2, Цитирования 72020: Публикации 1, Цитирования 52021: Публикации 2, Цитирования 12022: Публикации 2, Цитирования 32023: Публикации 1, Цитирования 102024: Публикации 4, Цитирования 102025: Публикации 8, Цитирования 132026: Публикации 3, Цитирования 7

История цитирований

0510152020162017201820202021202220232024202520262016: Цитирования 02017: Цитирования 32018: Цитирования 72020: Цитирования 52021: Цитирования 12022: Цитирования 32023: Цитирования 102024: Цитирования 102025: Цитирования 132026: Цитирования 7

История публикаций

03581020162017201820202021202220232024202520262016: Публикации 12017: Публикации 12018: Публикации 22020: Публикации 12021: Публикации 22022: Публикации 22023: Публикации 12024: Публикации 42025: Публикации 82026: Публикации 3

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

0134520162017201820202021202220232024202520262016: h-индекс 12017: h-индекс 12018: h-индекс 22020: h-индекс 32021: h-индекс 32022: h-индекс 32023: h-индекс 42024: h-индекс 42025: h-индекс 52026: h-индекс 5

Наиболее цитируемые работы

  1. Energy Levels in Nanowires and Nanorods with a Finite Potential Well202011 цит.
  2. Theoretical analysis of incomplete ionization on the electrical behavior of radial <i>p-n</i> junction structures20259 цит.
  3. Peculiarities of the Temperature Dependence of the Chemical Potential of a Two-dimensional Electron Gas in Magnetic Field20228 цит.
  4. Concentration, thermodynamic density of states, and entropy of electrons in semiconductor nanowires20227 цит.
  5. Nonequilibrium Diffusion of Boron in SiC at Low Temperatures20105 цит.
  6. Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC20114 цит.
  7. Fast Switching 4<i>H</i>-SiC<i> P-i-n</i> Structures Fabricated by Low Temperature Diffusion of Al20174 цит.
  8. Growth of transparent electrical conducting films of indium and tin oxides by chemical vapor deposition20164 цит.
  9. Research of <i>p</i>‐<i>i</i>‐<i>n</i> Junctions Based on 4<i>H</i>‐SiC Fabricated by Low‐Temperature Diffusion of Boron20182 цит.
  10. Spectral Dependence of Optical Absorption of 4<i>H</i>-SiC Doped with Boron and Aluminum20181 цит.
Открыть в AkademIndex →