Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

Kh.S. Daliev

Последняя известная организация:
National University of Uzbekistan
ORCID:
0000-0002-2164-6797
5
h-индекс
1
i10-индекс
66
Цитирования
28
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
0358100613192520042005200620172021202220232024202520262004: Публикации 2, Цитирования 02005: Публикации 1, Цитирования 02006: Публикации 1, Цитирования 02017: Публикации 2, Цитирования 02021: Публикации 2, Цитирования 02022: Публикации 0, Цитирования 12023: Публикации 5, Цитирования 212024: Публикации 7, Цитирования 222025: Публикации 1, Цитирования 182026: Публикации 0, Цитирования 4

История цитирований

0613192520042005200620172021202220232024202520262004: Цитирования 02005: Цитирования 02006: Цитирования 02017: Цитирования 02021: Цитирования 02022: Цитирования 12023: Цитирования 212024: Цитирования 222025: Цитирования 182026: Цитирования 4

История публикаций

03581020042005200620172021202220232024202520262004: Публикации 22005: Публикации 12006: Публикации 12017: Публикации 22021: Публикации 22022: Публикации 02023: Публикации 52024: Публикации 72025: Публикации 12026: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

0134520042005200620172021202220232024202520262004: h-индекс 02005: h-индекс 02006: h-индекс 02017: h-индекс 02021: h-индекс 02022: h-индекс 12023: h-индекс 32024: h-индекс 42025: h-индекс 52026: h-индекс 5

Наиболее цитируемые работы

  1. Features of the behavior of lanthanum and hafnium atoms in silicon20069 цит.
  2. Raman spectroscopy of silicon, doped with platinum and irradiated by protons20239 цит.
  3. Influence of the parameters to transition capacitance at NCDS-PSI heterostructure20239 цит.
  4. Thermally Induced Deep Centers in Silicon Doped with Europium or Lanthanum20018 цит.
  5. The Influence of the Impurities with Deep Levels on the Iron Behavior in Silicon19974 цит.
  6. Defect Formation in MIS Structures Based on Silicon with an Impurity of Ytterbium20243 цит.
  7. Defect Structure of Silicon Doped with Erbium20243 цит.
  8. Changes in the Structure and Properties of Silicon During Ytterbium Doping: The Results of o Comprehensive Analysis20242 цит.
  9. Properties of Single Crystal Silicon Doped with Vanadium20241 цит.
  10. Influence of the Temperature and Cyclic Deformations of (BixSb1–x)2Te3 Films on Their Resistance20211 цит.