Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Авторы

Jo`shqin Abdullayev

Варианты имени: J.SH. Abdullayev · Jo‘shqin Sh. Abdullayev

Последняя известная организация:
National University of Uzbekistan
ORCID:
0000-0001-6110-6616
7
h-индекс
3
i10-индекс
95
Цитирования
15
Работы
Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
035810025507510020232024202520262023: Публикации 1, Цитирования 12024: Публикации 4, Цитирования 32025: Публикации 9, Цитирования 542026: Публикации 1, Цитирования 37

История цитирований

025507510020232024202520262023: Цитирования 12024: Цитирования 32025: Цитирования 542026: Цитирования 37

История публикаций

03581020232024202520262023: Публикации 12024: Публикации 42025: Публикации 92026: Публикации 1

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

03581020232024202520262023: h-индекс 12024: h-индекс 12025: h-индекс 62026: h-индекс 7

Наиболее цитируемые работы

  1. Optimization of The Influence of Temperature on The Electrical Distribution of Structures with Radial p-n Junction Structures202414 цит.
  2. Factors Influencing the Ideality Factor of Semiconductor p-n and p-i-n Junction Structures at Cryogenic Temperatures202410 цит.
  3. Influence of the parameters to transition capacitance at NCDS-PSI heterostructure20239 цит.
  4. Modeling and calibration of electrical features of p-n junctions based on Si and GaAs20249 цит.
  5. Theoretical analysis of incomplete ionization on the electrical behavior of radial <i>p-n</i> junction structures20259 цит.
  6. Analytic Analysis of the Features of GaAs/Si Radial Heterojunctions: Influence of Temperature and Concentration20257 цит.
  7. Influence of Linear Doping Profiles on the Electrophysical Features of p-n Junctions20257 цит.
  8. Mathematical Analysis of the Features of Radial p-n Junction: Influence of Temperature and Concentration20255 цит.
  9. The Role of Recombination Types in Efficiency Limits of Radial p n junctions based on Si and GaAs20255 цит.
  10. Modeling of Optoelectronic Properties in pSi/n-CdmZn1−mS Heterojunctions: Effects of Composition and Temperature20253 цит.