Akramjon Y. Boboev
- Последняя известная организация:
- Andijan State University
- ORCID:
- 0000-0002-3963-708X
4
h-индекс
0
i10-индекс
39
Цитирования
21
Работы
Динамика
Показатели по годам
Обзор цитирований
Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам
- Публикации
- Цитирования
История цитирований
История публикаций
Эволюция h-индекса
Накопительный h-индекс по годам
Наиболее цитируемые работы
- Effect of γ-Irradiation on Structure and Electrophysical Properties of S-Doped ZnO Films20247 цит.
- Peculiarities of photosensitivity of n(GaAs)–p(GaAs)1–x–y (ZnSe) x (Ge2) y structures with quantum dots20156 цит.
- Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–x–y (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films20165 цит.
- Features of the Properties of the Surface of (GaAs)1 – x – у(Ge2)x(ZnSe)y Semiconductor Solid Solution with ZnSe Quantum Dots20214 цит.
- Structural Peculiarities of the (ZnSe)1 – x – y(Ge2)x(GaAs1 – δBiδ)y Solid Solution with Various Nanoinclusions20224 цит.
- Structural Properties of Al-Doped ZnO Films20243 цит.
- An Optimized Ultrasonic Spray Pyrolysis Device for The Production of Metal Oxide Films and Their Morfology20243 цит.
- Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)20192 цит.
- Structure, Morphology and Photoelectric Properties of n-GaAs--p-(GaAs)1--x(Ge2)х Heterostructure20222 цит.
- Influence of Germanium and Zinc Selenium Nanocrystals on the Photoelectric Properties of the n-GaAs – p-(GaAs)0.69(Ge2)0.17(ZnSe)0.14 Heterostructure20191 цит.