Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Semiconductor Science and Technology

ISSN:
0268-1242
2
h-индекс
15
Цитирования
4
Работы

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
0101220112013201420152019202120222023202420252011: Публикации 0, Цитирования 12013: Публикации 0, Цитирования 22014: Публикации 0, Цитирования 12015: Публикации 0, Цитирования 12019: Публикации 0, Цитирования 12021: Публикации 1, Цитирования 12022: Публикации 0, Цитирования 12023: Публикации 0, Цитирования 22024: Публикации 0, Цитирования 22025: Публикации 0, Цитирования 1

История цитирований

01220112013201420152019202120222023202420252011: Цитирования 12013: Цитирования 22014: Цитирования 12015: Цитирования 12019: Цитирования 12021: Цитирования 12022: Цитирования 12023: Цитирования 22024: Цитирования 22025: Цитирования 1

История публикаций

0120112013201420152019202120222023202420252011: Публикации 02013: Публикации 02014: Публикации 02015: Публикации 02019: Публикации 02021: Публикации 12022: Публикации 02023: Публикации 02024: Публикации 02025: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

01220112013201420152019202120222023202420252011: h-индекс 12013: h-индекс 12014: h-индекс 12015: h-индекс 12019: h-индекс 12021: h-индекс 12022: h-индекс 12023: h-индекс 22024: h-индекс 22025: h-индекс 2

Наиболее цитируемые работы

  1. Photoelectric properties of higher manganese silicide (HMS)-SilangleMnrangle-M structures199911 цит.
  2. Wave processes in silicon samples with nickel impurities arising at pulsed hydrostatic pressure20213 цит.
  3. Superlinearity of photocurrent in polycrystalline Si p - n structures19961 цит.
  4. Formation of radiation defects in silicon structures under low-intensity electron irradiation20010 цит.
Открыть в AkademIndex →