Journal of Crystal Growth
- ISSN:
- 0022-0248
2
h-индекс
10
Цитирования
6
Работы
1.50
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Динамика
Показатели по годам
Обзор цитирований
Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам
- Публикации
- Цитирования
История цитирований
История публикаций
Эволюция h-индекса
Накопительный h-индекс по годам
Наиболее цитируемые работы
- Study of the physical nature of Mn4Si7 crystals formed by the diffusion method using an X-ray diffraction20248 цит.
- Studies of the crystal structure of solid solutions (Sn2)1−x−y(GaAs)x(ZnSe)y, (GaAs)1−x(ZnSe)x grown from liquid phase20232 цит.
- Effect of alloy composition on defect formation in GexSi1−x/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy19940 цит.
- Persistent photoconductivity phenomena in GaMnAs grown via molecular beam epitaxy20080 цит.
- A new method for growing epitaxial films on foreign substrates − Bent epitaxy20240 цит.
- Growth and structural study of the solid solution Si1−xGex (0 < x < 1)20260 цит.