Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

ISSN:
1348-0391
3
h-индекс
32
Цитирования
10
Работы
0.00
Ср. цитируемость за 2 года

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Наиболее цитируемые работы

  1. Determination of the Dependence of Transverse Electrical Conductivity and Magnetoresistance Oscillations on Temperature in Heterostructures Based on Quantum Wells202311 цит.
  2. Computer Simulation of Scattering Xe<sup>+</sup> Ions from InP(001)❬110❭ Surface at Grazing Incidence201911 цит.
  3. Low Energy Ar<sup>+</sup> Ion Scattering on InGaP(001) Surface20207 цит.
  4. Changing the Voltage of the p-n Junction in a Magnetic Field20232 цит.
  5. Processes of Current Transport in p-Si-n-(Si<sub>2</sub>)<sub>1−</sub><i><sub>y</sub></i><sub>−</sub><i><sub>z</sub></i>(GaP)<i><sub>y</sub></i>(ZnSe)<i><sub>z</sub></i> Heterostructure Produced by Liquid Phase Epitaxy20221 цит.
  6. Amplitude of Random Telegraph Noise in Junctionless FinFET with Different Channel Shape20210 цит.
  7. Capacitance Method for Identifying Degradation due to Electrical Stress in MOSFETs20220 цит.
  8. Structural Features of the Epitaxial Layer of the (GaAs)<sub>1−</sub><i><sub>y</sub></i><sub>−</sub><i><sub>z</sub></i>(Ge<sub>2</sub>)<i><sub>y</sub></i>(ZnSe)<i><sub>z</sub></i> Solid Solution Grown from a Bismuth Solution Melt20240 цит.
  9. Influence of Temperature on Characteristics of a Diode with a p-n Junction in a Magnetic Field20240 цит.
  10. Structural, Compositional, and Photoluminescence Properties of CsPbBr<sub>3</sub> Thin Films Grown by Single-source Thermal Vacuum Chemical Vapor Deposition20250 цит.