Technical Physics Letters
- ISSN:
- 1063-7850
6
h-индекс
206
Цитирования
356
Работы
0.00
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Наиболее цитируемые работы
- Studying the Effect of Doping with Nickel on Silicon-Based Solar Cells with a Deep p–n-Junction201912 цит.
- Thermal spikes observed during the tantalum sputtering by gold cluster ions200312 цит.
- Injection photodiode based on p-CdTe film201211 цит.
- Features of the behavior of lanthanum and hafnium atoms in silicon20069 цит.
- Effect of electric field, illumination, and temperature on negative magnetoresistance of low-temperature-diffusion-doped silicon20108 цит.
- The Effect of the Fin Shape and Thickness of the Buried Oxide on the DIBL Effect in an SOI FinFET20186 цит.
- Developing Si(Li) nuclear radiation detectors by pulsed electric field treatment20096 цит.
- The Effect of the Formation of Silicides on the Resistivity of Silicon20195 цит.
- The Self-Heating Effect in Junctionless Fin Field-Effect Transistors Based on Silicon-on-Insulator Structures with Different Channel Shapes20215 цит.
- Adsorption of Ba Atoms Influences the Composition, Emission, and Optical Properties of CdS Single Crystals20215 цит.