Crystal Growth & Design
- ISSN:
- 1528-7483
1
h-индекс
4
Цитирования
5
Работы
0.67
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Динамика
Показатели по годам
Обзор цитирований
Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам
- Публикации
- Цитирования
История цитирований
История публикаций
Эволюция h-индекса
Накопительный h-индекс по годам
Наиболее цитируемые работы
- NDR in Co:SnO <sub>2</sub> Memristors: Nanocluster Control for Enhanced Performance20252 цит.
- Metal–Organic Frameworks with a Crystal System Switch for Optical Tuning20251 цит.
- Effect of SiO<sub>2</sub> and Post-Annealed Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Buffer Layers on Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> Thin Film Growth and Properties20251 цит.
- Self-Nucleated Nonpolar GaN Nanowires with Strong and Enhanced UV Luminescence20220 цит.
- Magnetically Tunable Resistive Switching in Mn-Doped SnO <sub>2</sub> Thin Films20260 цит.