Russian Microelectronics
- ISSN:
- 1063-7397
3
h-индекс
24
Цитирования
12
Работы
0.00
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Наиболее цитируемые работы
- Photoconductivity of silicon with nanoclusters of manganese atoms201010 цит.
- IR photodetectors in the range of λ = 1.5–8 μm, based on silicon with multicharged nanoclusters of manganese atoms20126 цит.
- Optical Properties of ZnO–LiNbO3 and ZnO–LiNbO3:Fe Structures20235 цит.
- Silicon solar cells with Si-Ge microheterojunctions20121 цит.
- Digital Shearograph for Detecting Defect in Materials20231 цит.
- Minority-Carrier Generation at the Interface between Silicon and Lead Borosilicate Glass20011 цит.
- Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment20050 цит.
- Experimental studies in quantum cryptography20110 цит.
- Resistance of diamond optics to high-power fiber laser radiation20120 цит.
- Influence of Nickel Impurity on the Operating Parameters of a Silicon Solar Cell20240 цит.