Radiation effects and defects in solids
- ISSN:
- 1026-549X
3
h-индекс
22
Цитирования
21
Работы
0.25
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Наиболее цитируемые работы
- Formation of defects on the surface of LiF crystals under irradiation with different ions mass20229 цит.
- Ranges and profiles of distribution of low-energy ions channeling in metal and semiconductor single crystals20033 цит.
- The radiation-induced defects production in P-type silicon doped by impurities of transitional elements20003 цит.
- Low energy ion scattering by atomic steps on the single crystal surface20043 цит.
- Structure and morphology of electron-irradiated ZnSe20252 цит.
- Interaction of deep impurities with radiation defects in n-Si at γ-irradiation20052 цит.
- Local instability in BaF<sub>2</sub>:Mn<sup>2+</sup>: Analysis of lattice relaxation19910 цит.
- Creation and optical properties of stable and metastable hole-trapped centres in beryllium oxide19910 цит.
- Depth profiles of Sb atoms implanted into Ti19910 цит.
- Study of ion-bombardment-induced surface topography of silver by stereophotogrammetric method19920 цит.