Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Computational Materials Science

ISSN:
0927-0256
3
h-индекс
20
Цитирования
12
Работы
0.50
Ср. цитируемость за 2 года

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
0120134520072008201620172018202020222024202520262007: Публикации 0, Цитирования 12008: Публикации 2, Цитирования 32016: Публикации 0, Цитирования 12017: Публикации 0, Цитирования 12018: Публикации 1, Цитирования 02020: Публикации 1, Цитирования 02022: Публикации 0, Цитирования 22024: Публикации 0, Цитирования 22025: Публикации 2, Цитирования 22026: Публикации 0, Цитирования 1

История цитирований

0134520072008201620172018202020222024202520262007: Цитирования 12008: Цитирования 32016: Цитирования 12017: Цитирования 12018: Цитирования 02020: Цитирования 02022: Цитирования 22024: Цитирования 22025: Цитирования 22026: Цитирования 1

История публикаций

01220072008201620172018202020222024202520262007: Публикации 02008: Публикации 22016: Публикации 02017: Публикации 02018: Публикации 12020: Публикации 12022: Публикации 02024: Публикации 02025: Публикации 22026: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

0134520072008201620172018202020222024202520262007: h-индекс 12008: h-индекс 22016: h-индекс 22017: h-индекс 22018: h-индекс 22020: h-индекс 22022: h-индекс 22024: h-индекс 22025: h-индекс 22026: h-индекс 3

Наиболее цитируемые работы

  1. A new semiempirical electronic structure and total energy calculation method for solids and large molecules19948 цит.
  2. Bulk Si1−xGex single- and poly-crystals: a new prospective material for electronics20013 цит.
  3. High-temperature thermoelectric performance of spinel MgGa2O4 through a first-principles and Boltzmann transport study20253 цит.
  4. Low-energy P+ ion channeling and implantation into Si(110), SiC(110), GaP(110) and GaAs(110)20052 цит.
  5. Study of ion scattering and dechanneling from surface defect structure by computer simulation20022 цит.
  6. Computer simulation of sputtering and oxygen desorption processes at grazing ion bombardment of Ag( 110 ) surface20031 цит.
  7. Sputtering of ice films by the bombardment of Ar+ ions20081 цит.
  8. Investigation of sputtering and oxygen desorption processes by binary collision approximation method20050 цит.
  9. Influence of Ge content on formation of radiation defects in Si1−xGex solid solutions20080 цит.
  10. Electronic transport calculations for CO2 adsorption on calcium-decorated graphene nanoribbons20180 цит.
Открыть в AkademIndex →