Journal of Nano- and Electronic Physics
- ISSN:
- 2077-6772
6
h-индекс
76
Цитирования
21
Работы
0.20
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Наиболее цитируемые работы
- Effect of Deposition of Submonolayer Cs Coatings on the Density of Electronic States and Energy Band Parameters of CoSi2/Si(111)202213 цит.
- Influence of the Angle of Incident Light on the Performance of Textured Silicon Solar Cells202111 цит.
- Study of the Temperature Coefficient of the Main Photoelectric Parameters of Silicon Solar Cells with Various Nanoparticles202110 цит.
- Decay of Impurity Clusters of Nickel and Cobalt Atoms in Silicon under the Influence of Pressure20218 цит.
- Angular Distributions of Scattered Ne and Ar Ions at the Grazing Incidence on the InGaP (001) 110 Surface20206 цит.
- Properties of Amorphous Silica Synthesized from Copper-Smelting Slags20216 цит.
- Magnetic Properties of Silicon Doped with Impurity Atoms of Europium20235 цит.
- Optical Properties of GexSi1 – x Binary Compounds in Silicon20235 цит.
- Study of Mono- and Polycrystalline Silicon Solar Cells with Various Shapes for Photovoltaic Devices in 3D Format: Experiment and Simulation20223 цит.
- New Technological Solution for the Tailoring of Multilayer Silicon-based Systems with Binary Nanoclusters Involving Elements of Groups III and V20232 цит.