Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Journal of Computational Electronics

ISSN:
1569-8025
2
h-индекс
8
Цитирования
7
Работы
0.67
Ср. цитируемость за 2 года

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
01201345202120232024202520262021: Публикации 2, Цитирования 02023: Публикации 0, Цитирования 12024: Публикации 2, Цитирования 02025: Публикации 1, Цитирования 52026: Публикации 2, Цитирования 2

История цитирований

01345202120232024202520262021: Цитирования 02023: Цитирования 12024: Цитирования 02025: Цитирования 52026: Цитирования 2

История публикаций

012202120232024202520262021: Публикации 22023: Публикации 02024: Публикации 22025: Публикации 12026: Публикации 2

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

012202120232024202520262021: h-индекс 02023: h-индекс 12024: h-индекс 12025: h-индекс 22026: h-индекс 2

Наиболее цитируемые работы

  1. Oscillations of transverse magnetoresistance in the conduction band of quantum wells at different temperatures and magnetic fields20245 цит.
  2. Effect of chemical modification on electronic transport properties of carbyne20212 цит.
  3. Features of paramagnetism of a two-dimensional electron gas depending on concentration and temperature20241 цит.
  4. Effect of vacancy defects on the electronic transport properties of an Ag–ZnO–Pt sandwich structure20210 цит.
  5. Self-heating-induced junctionless stacked nanosheet FET RF stability performance degradation analysis and optimization20250 цит.
  6. Sodium metal-ion batteries based on the T-BN monolayer anode: density functional theory study20260 цит.
  7. Magnetic field and temperature dependent band gap modeling in narrow-gap quantum well semiconductors20260 цит.