Physical Sciences and Technology
- ISSN:
- 2409-6121
3
h-индекс
25
Цитирования
14
Работы
0.43
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Наиболее цитируемые работы
- Modeling and calibration of electrical features of p-n junctions based on Si and GaAs20249 цит.
- Clusters of impurity nickel atoms and their migration in the crystal lattice of silicon20237 цит.
- The High-temperature analysis of silicon properties with manganese-oxygen binary complexes20243 цит.
- The Physical mechanisms of gettering properties of nickel clusters in silicon solar cells20242 цит.
- Obtaining manganese silicide films on a silicon substrate by the diffusion method20222 цит.
- Determination of the resistance of external parameters to the degradation of the parameters of silicon photocells with input nickel atoms20221 цит.
- Optimal regime of the double-sided drift of lithium ions into silicon monocrystal20231 цит.
- SN2017ein: bolometric light curve and physical parameters20170 цит.
- The fundamental equation of the field theory in De Sitter pulse space20190 цит.
- Diamond films obtained on silicone substrates by the CVD method and properties of structures based on them20230 цит.