Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Физика и техника полупроводников

ISSN:
0015-3222
2
h-индекс
11
Цитирования
16
Работы

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
0358100134520182020202120222023202420252018: Публикации 1, Цитирования 02020: Публикации 3, Цитирования 02021: Публикации 1, Цитирования 02022: Публикации 10, Цитирования 22023: Публикации 1, Цитирования 22024: Публикации 0, Цитирования 52025: Публикации 0, Цитирования 2

История цитирований

0134520182020202120222023202420252018: Цитирования 02020: Цитирования 02021: Цитирования 02022: Цитирования 22023: Цитирования 22024: Цитирования 52025: Цитирования 2

История публикаций

03581020182020202120222023202420252018: Публикации 12020: Публикации 32021: Публикации 12022: Публикации 102023: Публикации 12024: Публикации 02025: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

01220182020202120222023202420252018: h-индекс 02020: h-индекс 02021: h-индекс 02022: h-индекс 12023: h-индекс 12024: h-индекс 22025: h-индекс 2

Наиболее цитируемые работы

  1. Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells20225 цит.
  2. Effect of the presence of a sufficiently high phosphorus concentration on the concentration distribution of gallium in silicon20222 цит.
  3. Features of the electrophysical parameters of silicon serially doped with impurity atoms of phosphorus and boron20221 цит.
  4. Polarization-spectral dependences of three-photon interband absorption of light and linear-circular dichroism in semiconductors with cubic symmetry20221 цит.
  5. Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами20221 цит.
  6. Comparative study of photocells based on silicon doped with nickel by various methods20221 цит.
  7. Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0≤ x≤0.01) гетероструктуре20180 цит.
  8. Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs20200 цит.
  9. Размерное квантование в n-GaP20200 цит.
  10. Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb-p-Si<Mn>-Au20200 цит.
Открыть в AkademIndex →