Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Radioelectronics and Communications Systems

ISSN:
0735-2727
1
h-индекс
4
Цитирования
10
Работы

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
013450122008200920112012201520172018202020252008: Публикации 2, Цитирования 02009: Публикации 2, Цитирования 02011: Публикации 3, Цитирования 02012: Публикации 1, Цитирования 02015: Публикации 0, Цитирования 12017: Публикации 1, Цитирования 02018: Публикации 0, Цитирования 12020: Публикации 1, Цитирования 02025: Публикации 0, Цитирования 2

История цитирований

0122008200920112012201520172018202020252008: Цитирования 02009: Цитирования 02011: Цитирования 02012: Цитирования 02015: Цитирования 12017: Цитирования 02018: Цитирования 12020: Цитирования 02025: Цитирования 2

История публикаций

013452008200920112012201520172018202020252008: Публикации 22009: Публикации 22011: Публикации 32012: Публикации 12015: Публикации 02017: Публикации 12018: Публикации 02020: Публикации 12025: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

012008200920112012201520172018202020252008: h-индекс 02009: h-индекс 02011: h-индекс 02012: h-индекс 02015: h-индекс 12017: h-индекс 12018: h-индекс 12020: h-индекс 12025: h-индекс 1

Наиболее цитируемые работы

  1. Influence of neutron radiation on breakdown voltage of silicon voltage limiter20122 цит.
  2. Calculation of resonance frequencies of electrons present in the contact area of two semiconductors20111 цит.
  3. Research of complex differential conductivity of multi-layer heterostructures20111 цит.
  4. Optical FET output characteristics research in light-activated mode20080 цит.
  5. Specialities of optical FET with tin-doped junction channel20080 цит.
  6. Measurement of efficient thickness of transition layer, stimulated by microwave radiation, in contacts Mo-GaAs20090 цит.
  7. Modification of Au-Ti(W, Cr, TiB x )-GaAs contacts properties caused by external influences20090 цит.
  8. Research of characteristics of multi-frequency laser radiation in case of mode retuning20110 цит.
  9. On mechanism of radiative sensitivity of power diode direct voltage drop20170 цит.
  10. Method for Compensation of Atmospheric Nonstationarity in Heterodyne Interferometer Measurements20200 цит.
Открыть в AkademIndex →