Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

East European Journal of Physics

ISSN:
2312-4334
8
h-индекс
283
Цитирования
150
Работы
0.36
Ср. цитируемость за 2 года

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Наиболее цитируемые работы

  1. Optimization of The Influence of Temperature on The Electrical Distribution of Structures with Radial p-n Junction Structures202414 цит.
  2. Effect of the Diffusion of Copper Atoms in Polycrystalline CdTe Films Doped with Pb Atoms202312 цит.
  3. Determination of the Dependence of the Oscillation of Transverse Electrical Conductivity and Magnetoresistance on Temperature in Heterostructures Based on Quantum Wells202311 цит.
  4. Structural Properties of Silicon Doped Rare Earth Elements Ytterbium202411 цит.
  5. Factors Influencing the Ideality Factor of Semiconductor p-n and p-i-n Junction Structures at Cryogenic Temperatures202410 цит.
  6. Investigation of Defect Formation in Silicon Doped with Silver and Gadolinium Impurities by Raman Scattering Spectroscopy20238 цит.
  7. Structure Determination and Defect Analysis n-Si<Lu>, p-Si<Lu> Raman Spectrometer Methods20238 цит.
  8. Investigation of the Magnetic Properties of Silicon Doped with Rare-Earth Elements20238 цит.
  9. X-Ray Structural Investigations Of n-Si<Pt> Irradiated with Protons20238 цит.
  10. Current Status of Silicon Studies with GexSi1-x Binary Compounds and Possibilities of Their Applications in Electronics20238 цит.