Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Eurasian journal of physics and functional materials

ISSN:
2522-9869
2
h-индекс
12
Цитирования
20
Работы

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
013450134520182019202020212022202320242018: Публикации 5, Цитирования 02019: Публикации 3, Цитирования 12020: Публикации 3, Цитирования 02021: Публикации 4, Цитирования 12022: Публикации 4, Цитирования 02023: Публикации 1, Цитирования 52024: Публикации 0, Цитирования 5

История цитирований

0134520182019202020212022202320242018: Цитирования 02019: Цитирования 12020: Цитирования 02021: Цитирования 12022: Цитирования 02023: Цитирования 52024: Цитирования 5

История публикаций

0134520182019202020212022202320242018: Публикации 52019: Публикации 32020: Публикации 32021: Публикации 42022: Публикации 42023: Публикации 12024: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

01220182019202020212022202320242018: h-индекс 02019: h-индекс 12020: h-индекс 12021: h-индекс 12022: h-индекс 12023: h-индекс 22024: h-индекс 2

Наиболее цитируемые работы

  1. Cyclotron mass of an electron in strong magnetic fields in a wide InAs quantum well20223 цит.
  2. Influence of structural defects in silicon on formation of photosensitive heterostructures Mn4Si7-Si-Mn4Si7 and Mn4Si7-Si-M20183 цит.
  3. Change of electrophysical properties of the Si(111) and Si(100) surface in the process of ion implantation and next annealing20192 цит.
  4. Study of the dependence of the degree of disordering of the surface layers of Si(111) and Ge(111) single crystals upon bombardment with low-energy ions20232 цит.
  5. Computational analysis of a neutron trap in the center of the WWR-K reactor core for irradiation tests of large-sized objects20221 цит.
  6. Non-destructive structural studies of coins from the Uzundara Fortress using X-ray diffraction and neutron tomography20221 цит.
  7. Development of thermal sensors by implantation ions P+ and B+ in different sides of Si(111)20180 цит.
  8. REACTIONS 11B+209BI AT ENERGIES ABOVE COULOMB BARRIER20180 цит.
  9. Metal-insulator transitions and nanoscale phase separation in various underdoped cuprates20180 цит.
  10. Some radiation effects in II-VI quantum dots20180 цит.
Открыть в AkademIndex →