Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics

ISSN:
1560-8034
2
h-индекс
17
Цитирования
16
Работы

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Динамика

Показатели по годам

Обзор цитирований

Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам

  • Публикации
  • Цитирования
01203581020102015201820192020202120222023202420252010: Публикации 2, Цитирования 02015: Публикации 1, Цитирования 02018: Публикации 1, Цитирования 02019: Публикации 1, Цитирования 02020: Публикации 2, Цитирования 22021: Публикации 0, Цитирования 22022: Публикации 1, Цитирования 22023: Публикации 0, Цитирования 72024: Публикации 0, Цитирования 22025: Публикации 0, Цитирования 1

История цитирований

03581020102015201820192020202120222023202420252010: Цитирования 02015: Цитирования 02018: Цитирования 02019: Цитирования 02020: Цитирования 22021: Цитирования 22022: Цитирования 22023: Цитирования 72024: Цитирования 22025: Цитирования 1

История публикаций

01220102015201820192020202120222023202420252010: Публикации 22015: Публикации 12018: Публикации 12019: Публикации 12020: Публикации 22021: Публикации 02022: Публикации 12023: Публикации 02024: Публикации 02025: Публикации 0

Эволюция h-индекса

Накопительный h-индекс по годам

01220102015201820192020202120222023202420252010: h-индекс 12015: h-индекс 12018: h-индекс 12019: h-индекс 12020: h-индекс 12021: h-индекс 12022: h-индекс 12023: h-индекс 22024: h-индекс 22025: h-индекс 2

Наиболее цитируемые работы

  1. Clusters of nickel atoms and controlling their state in silicon lattice20189 цит.
  2. Current-voltage characteristic of the injection photodetector based on In–n-CdS–p-Si–In structure20195 цит.
  3. Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor20102 цит.
  4. Research of structures with corrugated photoreceiving surface20041 цит.
  5. Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface20020 цит.
  6. Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures20030 цит.
  7. Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides20040 цит.
  8. Spectroscopy of (Si2)1-x(ZnS)x solid solutions20050 цит.
  9. p-n junctions obtained in (Ge2)x(GaAs)1–x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy20050 цит.
  10. hotoconverters with microrelief p-n junction on a basis of p-AlxGa1-xAs – p-GaAs – n-GaAs – n+-GaAs heterojunction20050 цит.
Открыть в AkademIndex →