Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Journal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques

ISSN:
1027-4510
12
h-индекс
389
Цитирования
110
Работы
0.00
Ср. цитируемость за 2 года

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Наиболее цитируемые работы

  1. Effect of Ar+-ion bombardment on the composition and structure of the surface of CoSi2/Si(111) nanofilms201523 цит.
  2. On the creation of ordered nuclei by ion bombardment for obtaining nanoscale si structures on the surface of CaF2 films201721 цит.
  3. On the synthesis of nanoscale phases of metal silicides in the near-surface region of silicon and the study of their electronic structures by passing light201721 цит.
  4. Formation and Electronic Structure of Barium-Monosilicide- and Barium-Disilicide Films202117 цит.
  5. Energy spectra of SiO2 nanofilms formed on a silicon surface by ion implantation201516 цит.
  6. Procedure for determining defects in sputtered clusters of ionic crystals201614 цит.
  7. Energy Threshold of the Atomic and Cluster Sputtering of Some Elements under Bombardment with Cs, Rb, and Na Ions201914 цит.
  8. Structure and electronic properties of nanoscale phases and nanofilms of metal silicides produced by ion implantation in combination with annealing201414 цит.
  9. Applying low-energy ion implantation in the creation of nanocontacts on the surface of ultrathin semiconductor films201314 цит.
  10. Effect of thermal and laser annealing on the atom distribution profiles in Si(111) implanted with P+ and B+ ions201712 цит.