Materials Sciences and Applications
- ISSN:
- 2153-117X
2
h-индекс
10
Цитирования
6
Работы
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Динамика
Показатели по годам
Обзор цитирований
Публикации (столбцы) и цитирования (линия) по годам
- Публикации
- Цитирования
История цитирований
История публикаций
Эволюция h-индекса
Накопительный h-индекс по годам
Наиболее цитируемые работы
- Nonequilibrium Diffusion of Boron in SiC at Low Temperatures20105 цит.
- Influence of Defects on Low Temperature Diffusion of Boron in SiC20114 цит.
- Electronic Structure of Single-Crystal CaF<sub>2</sub>(111) with Nanoscale Phases of Ca and Si20181 цит.
- Influence of Twisting Degree and Number of Cords on the Structure of Silk20110 цит.
- The Transformation of the Heterogeneous Materials under the Fatigue Deformation20120 цит.
- Multilayer GaAs-Based Heterostructures with Holographic Concentrator for Solar Cells20140 цит.