Перейти к содержимому
AkademScholar

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороAPI для разработчиков
Журнал

Inorganic Materials

ISSN:
0020-1685
7
h-индекс
151
Цитирования
68
Работы
0.00
Ср. цитируемость за 2 года

Сигналы доверия

Присутствует 1 из 3 сигналов

Независимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.

  • DOAJ
    Нет данных
    doaj.org
  • Список ВАК (OAK)
    Нет данных
    OAK
  • Действующий ISSN
    Есть
    ISSN

Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.

Наиболее цитируемые работы

  1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion201124 цит.
  2. A p-i-n Model of CdTe/CdS Heterostructures200511 цит.
  3. Self-organization of nickel atoms in silicon201110 цит.
  4. Ultrasonic annealing of surface states in the heterojunction of a p-Si/n-CdS/n +-CdS injection photodiode20149 цит.
  5. Fabrication and Properties of nSi–pCdTe Heterojunctions20208 цит.
  6. Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon20228 цит.
  7. Thermally Induced Deep Centers in Silicon Doped with Europium or Lanthanum20018 цит.
  8. Properties of Passivating Coatings Based on Lead Borosilicate Glass20026 цит.
  9. Current-voltage behavior of silicon containing nanoclusters of manganese atoms20146 цит.
  10. Experimental Assessment of the Nonuniform Radiation-Induced Space-Charge Distribution in the Surface Region of Silicon20015 цит.
Открыть в AkademIndex →