Technical Physics
- ISSN:
- 1063-7842
10
h-индекс
350
Цитирования
133
Работы
0.00
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Наиболее цитируемые работы
- Optimum ion implantation and annealing conditions for stimulating secondary negative ion emission201119 цит.
- Electron spectroscopy of the nanostructures created in Si, GaAs, and CaF2 surface layers using low-energy ion implantation201319 цит.
- Formation of nanosize silicides films on the Si(111) and Si(100) surfaces by low-energy ion implantation201415 цит.
- Analysis of the structure and properties of heterostructured nanofilms prepared by epitaxy and ion implantation methods201315 цит.
- Composition and properties of nanoscale Si structures formed on the CoSi2/Si(111) surface by Ar+ ion bombardment201714 цит.
- Structure and Properties of a Bilayer Nanodimensional CoSi2/Si/CoSi2/Si System Obtained by Ion Implantation201814 цит.
- Effect of the O+2-ion bombardment on the TiN composition and structure201513 цит.
- Electronic structure of Ga1–x Al x As nanostructures grown on the GaAs surface by ion implantation201513 цит.
- Escape Depth of Secondary and Photoelectrons from CdTe Films with a Ba Film201912 цит.
- Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material201910 цит.