Materials science forum
- ISSN:
- 0255-5476
2
h-индекс
40
Цитирования
86
Работы
1.00
Ср. цитируемость за 2 года
Сигналы доверия
Присутствует 1 из 3 сигналовНезависимые положительные сигналы — не единый вердикт «хищнический/легитимный», а сходящаяся картина.
- DOAJНет данныхdoaj.org
- Список ВАК (OAK)Нет данныхOAK
- Действующий ISSNЕстьISSN
Это информационная пометка, а не официальное решение. Отсутствие сигнала — не штраф: например, региональный журнал может не быть в DOAJ.
Наиболее цитируемые работы
- Investigation of Defect InP(001) Surface by Low Energy Ion Scаttering Spectroscopy20228 цит.
- Treated Textile Electrostatic Properties Study20205 цит.
- 4H-SiC Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy on 4H-SiC Off-Axis Substrates20002 цит.
- Electrical Characteristics of 4H-SiC pn Diode Grown by LPE Method20022 цит.
- Investigation of p-3C-SiC/n+-6H-SiC Heterojunctions with Low Doped p-3C-SiC Region20032 цит.
- High-Quality 3C-SiC pn-Structures Created by Sublimation Epitaxy on a 6H-SiC Substrate20042 цит.
- Influence of Gamma-Ray and Neutron Irradiation on Injection Characteristics of 4H-SiC pn Structures20052 цит.
- System Analysis and Simulation of the Process of Destructive Hydrogenization of Deasphaltisate of Heavy Oil20222 цит.
- Ion Implantation - Tool for Fabrication of Advanced 4H-SiC Devices20022 цит.
- Gettering Effect with Al Implanted into 4H-SiC CVD Epitaxial Layers20031 цит.