Асосий контентга ўтиш
AkademScholar

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаДастурчилар API
Муаллифлар

A. Yu. Leĭderman

Сўнгги маълум муассаса:
Academy of Sciences Republic of Uzbekistan
6
h-индекс
0
i10-индекси
98
Иқтибослар
45
Асарлар
Вақт бўйича

Вақт бўйича таҳлил

Иқтибос шарҳи

Йиллар бўйича нашрлар (устун) ва иқтибослар (чизиқ)

  • Нашрлар
  • Иқтибослар
0120510152020162017201820192020202120222023202420252016: Нашрлар 2, Иқтибослар 22017: Нашрлар 1, Иқтибослар 12018: Нашрлар 1, Иқтибослар 82019: Нашрлар 1, Иқтибослар 132020: Нашрлар 1, Иқтибослар 42021: Нашрлар 0, Иқтибослар 22022: Нашрлар 0, Иқтибослар 52023: Нашрлар 0, Иқтибослар 72024: Нашрлар 0, Иқтибослар 82025: Нашрлар 0, Иқтибослар 2

Иқтибос тарихи

0510152020162017201820192020202120222023202420252016: Иқтибослар 22017: Иқтибослар 12018: Иқтибослар 82019: Иқтибослар 132020: Иқтибослар 42021: Иқтибослар 22022: Иқтибослар 52023: Иқтибослар 72024: Иқтибослар 82025: Иқтибослар 2

Нашр тарихи

01220162017201820192020202120222023202420252016: Нашрлар 22017: Нашрлар 12018: Нашрлар 12019: Нашрлар 12020: Нашрлар 12021: Нашрлар 02022: Нашрлар 02023: Нашрлар 02024: Нашрлар 02025: Нашрлар 0

h-индекс эволюцияси

Йиллар бўйича жамланган h-индекс

03581020162017201820192020202120222023202420252016: h-индекс 42017: h-индекс 42018: h-индекс 42019: h-индекс 42020: h-индекс 42021: h-индекс 42022: h-индекс 42023: h-индекс 52024: h-индекс 62025: h-индекс 6

Энг кўп иқтибос қилинган асарлар

  1. Growth of (GaAs)1 − x (ZnSe) x solid solution films and investigation of their structural and some photoelectric properties20118 иқтибос
  2. The synergetic phenomena in photoexcited semiconductors19878 иқтибос
  3. Effect of injection depletion in p-n heterostructures based on solid solutions (Si2)1 − x − y (Ge2) x (GaAs) y , (Si2)1 − x (CdS) x , (InSb)1 − x (Sn2) x , and CdTe1 − x S x20147 иқтибос
  4. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterostructures with a thick layer of the CdTe1 − x S x solid solution20086 иқтибос
  5. Mechanism of charge transfer in injection photodiodes based on the In-n +-CdS-n-CdS x Te1 − x -p-Zn x Cd1 − x Te-Mo structure20136 иқтибос
  6. Double-injection currents in Zn-compensated silicon pin structures19766 иқтибос
  7. Investigation of current-voltage characteristics of the n-CdS-p-CdTe structure with an extended layer of the intermediate solid solution20095 иқтибос
  8. Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–x–y (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films20165 иқтибос
  9. Statistics of Inter‐Impurity Recombination of Electrons and Holes in Semiconductors19685 иқтибос
  10. Recombination in semiconductors with deep impurities20084 иқтибос