Journal of Crystal Growth
- ISSN:
- 0022-0248
2
h-индекс
10
Иқтибослар
6
Асарлар
1.50
2-йиллик ўртача иқтибос
Ишонч сигналлари
1 дан 3 сигнал мавжудМустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.
- DOAJМаълумот йўқdoaj.org
- ОАК рўйхатиМаълумот йўқОАК
- Яроқли ISSNМавжудISSN
Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.
Вақт бўйича
Вақт бўйича таҳлил
Иқтибос шарҳи
Йиллар бўйича нашрлар (устун) ва иқтибослар (чизиқ)
- Нашрлар
- Иқтибослар
Иқтибос тарихи
Нашр тарихи
h-индекс эволюцияси
Йиллар бўйича жамланган h-индекс
Энг кўп иқтибос қилинган асарлар
- Study of the physical nature of Mn4Si7 crystals formed by the diffusion method using an X-ray diffraction20248 иқтибос
- Studies of the crystal structure of solid solutions (Sn2)1−x−y(GaAs)x(ZnSe)y, (GaAs)1−x(ZnSe)x grown from liquid phase20232 иқтибос
- Effect of alloy composition on defect formation in GexSi1−x/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy19940 иқтибос
- Persistent photoconductivity phenomena in GaMnAs grown via molecular beam epitaxy20080 иқтибос
- A new method for growing epitaxial films on foreign substrates − Bent epitaxy20240 иқтибос
- Growth and structural study of the solid solution Si1−xGex (0 < x < 1)20260 иқтибос