Асосий контентга ўтиш
AkademScholar

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаДастурчилар API
Журнал

Russian Microelectronics

ISSN:
1063-7397
3
h-индекс
24
Иқтибослар
12
Асарлар
0.00
2-йиллик ўртача иқтибос

Ишонч сигналлари

1 дан 3 сигнал мавжуд

Мустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.

  • DOAJ
    Маълумот йўқ
    doaj.org
  • ОАК рўйхати
    Маълумот йўқ
    ОАК
  • Яроқли ISSN
    Мавжуд
    ISSN

Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.

Энг кўп иқтибос қилинган асарлар

  1. Photoconductivity of silicon with nanoclusters of manganese atoms201010 иқтибос
  2. IR photodetectors in the range of λ = 1.5–8 μm, based on silicon with multicharged nanoclusters of manganese atoms20126 иқтибос
  3. Optical Properties of ZnO–LiNbO3 and ZnO–LiNbO3:Fe Structures20235 иқтибос
  4. Silicon solar cells with Si-Ge microheterojunctions20121 иқтибос
  5. Digital Shearograph for Detecting Defect in Materials20231 иқтибос
  6. Minority-Carrier Generation at the Interface between Silicon and Lead Borosilicate Glass20011 иқтибос
  7. Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment20050 иқтибос
  8. Experimental studies in quantum cryptography20110 иқтибос
  9. Resistance of diamond optics to high-power fiber laser radiation20120 иқтибос
  10. Influence of Nickel Impurity on the Operating Parameters of a Silicon Solar Cell20240 иқтибос