Russian Microelectronics
- ISSN:
- 1063-7397
3
h-индекс
24
Иқтибослар
12
Асарлар
0.00
2-йиллик ўртача иқтибос
Ишонч сигналлари
1 дан 3 сигнал мавжудМустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.
- DOAJМаълумот йўқdoaj.org
- ОАК рўйхатиМаълумот йўқОАК
- Яроқли ISSNМавжудISSN
Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.
Энг кўп иқтибос қилинган асарлар
- Photoconductivity of silicon with nanoclusters of manganese atoms201010 иқтибос
- IR photodetectors in the range of λ = 1.5–8 μm, based on silicon with multicharged nanoclusters of manganese atoms20126 иқтибос
- Optical Properties of ZnO–LiNbO3 and ZnO–LiNbO3:Fe Structures20235 иқтибос
- Silicon solar cells with Si-Ge microheterojunctions20121 иқтибос
- Digital Shearograph for Detecting Defect in Materials20231 иқтибос
- Minority-Carrier Generation at the Interface between Silicon and Lead Borosilicate Glass20011 иқтибос
- Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment20050 иқтибос
- Experimental studies in quantum cryptography20110 иқтибос
- Resistance of diamond optics to high-power fiber laser radiation20120 иқтибос
- Influence of Nickel Impurity on the Operating Parameters of a Silicon Solar Cell20240 иқтибос