Асосий контентга ўтиш
AkademScholar

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаДастурчилар API
Журнал

Computational Materials Science

ISSN:
0927-0256
3
h-индекс
20
Иқтибослар
12
Асарлар
0.50
2-йиллик ўртача иқтибос

Ишонч сигналлари

1 дан 3 сигнал мавжуд

Мустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.

  • DOAJ
    Маълумот йўқ
    doaj.org
  • ОАК рўйхати
    Маълумот йўқ
    ОАК
  • Яроқли ISSN
    Мавжуд
    ISSN

Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.

Вақт бўйича

Вақт бўйича таҳлил

Иқтибос шарҳи

Йиллар бўйича нашрлар (устун) ва иқтибослар (чизиқ)

  • Нашрлар
  • Иқтибослар
0120134520072008201620172018202020222024202520262007: Нашрлар 0, Иқтибослар 12008: Нашрлар 2, Иқтибослар 32016: Нашрлар 0, Иқтибослар 12017: Нашрлар 0, Иқтибослар 12018: Нашрлар 1, Иқтибослар 02020: Нашрлар 1, Иқтибослар 02022: Нашрлар 0, Иқтибослар 22024: Нашрлар 0, Иқтибослар 22025: Нашрлар 2, Иқтибослар 22026: Нашрлар 0, Иқтибослар 1

Иқтибос тарихи

0134520072008201620172018202020222024202520262007: Иқтибослар 12008: Иқтибослар 32016: Иқтибослар 12017: Иқтибослар 12018: Иқтибослар 02020: Иқтибослар 02022: Иқтибослар 22024: Иқтибослар 22025: Иқтибослар 22026: Иқтибослар 1

Нашр тарихи

01220072008201620172018202020222024202520262007: Нашрлар 02008: Нашрлар 22016: Нашрлар 02017: Нашрлар 02018: Нашрлар 12020: Нашрлар 12022: Нашрлар 02024: Нашрлар 02025: Нашрлар 22026: Нашрлар 0

h-индекс эволюцияси

Йиллар бўйича жамланган h-индекс

0134520072008201620172018202020222024202520262007: h-индекс 12008: h-индекс 22016: h-индекс 22017: h-индекс 22018: h-индекс 22020: h-индекс 22022: h-индекс 22024: h-индекс 22025: h-индекс 22026: h-индекс 3

Энг кўп иқтибос қилинган асарлар

  1. A new semiempirical electronic structure and total energy calculation method for solids and large molecules19948 иқтибос
  2. Bulk Si1−xGex single- and poly-crystals: a new prospective material for electronics20013 иқтибос
  3. High-temperature thermoelectric performance of spinel MgGa2O4 through a first-principles and Boltzmann transport study20253 иқтибос
  4. Low-energy P+ ion channeling and implantation into Si(110), SiC(110), GaP(110) and GaAs(110)20052 иқтибос
  5. Study of ion scattering and dechanneling from surface defect structure by computer simulation20022 иқтибос
  6. Computer simulation of sputtering and oxygen desorption processes at grazing ion bombardment of Ag( 110 ) surface20031 иқтибос
  7. Sputtering of ice films by the bombardment of Ar+ ions20081 иқтибос
  8. Investigation of sputtering and oxygen desorption processes by binary collision approximation method20050 иқтибос
  9. Influence of Ge content on formation of radiation defects in Si1−xGex solid solutions20080 иқтибос
  10. Electronic transport calculations for CO2 adsorption on calcium-decorated graphene nanoribbons20180 иқтибос
AkademIndex'да кўриш →