Асосий контентга ўтиш
AkademScholar

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаДастурчилар API
Журнал

Physica status solidi. C, Conferences and critical reviews/Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics

ISSN:
1610-1634
2
h-индекс
31
Иқтибослар
8
Асарлар

Ишонч сигналлари

1 дан 3 сигнал мавжуд

Мустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.

  • DOAJ
    Маълумот йўқ
    doaj.org
  • ОАК рўйхати
    Маълумот йўқ
    ОАК
  • Яроқли ISSN
    Мавжуд
    ISSN

Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.

Энг кўп иқтибос қилинган асарлар

  1. Formation of nanodimensional structures on surfaces of GaAs and Si by means of ion implantation201420 иқтибос
  2. Fundamental processes of radiation modification of semiconductor nanostructures20138 иқтибос
  3. Positron probing of open vacancy volume of phosphorus‐vacancy complexes in float‐zone n‐type silicon irradiated by 0.9‐MeV electrons and by 15‐MeV protons20171 иқтибос
  4. Thermal conductivity features of nanostructured CdS/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> composites20071 иқтибос
  5. Positron annihilation lifetime in float‐zone n‐type silicon irradiated by fast electrons: a thermally stable vacancy defect20161 иқтибос
  6. Efficient luminescence from rhodamine 6G absorbed by porous alumina: Excitation mechanisms20070 иқтибос
  7. In‐situ doping and implantation of GaN layers with Mn20090 иқтибос
  8. Size‐dependent structural properties of quasi‐one‐dimensional silicon clusters20120 иқтибос