Асосий контентга ўтиш
AkademScholar

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаДастурчилар API
Журнал

Физика и техника полупроводников

ISSN:
0015-3222
2
h-индекс
11
Иқтибослар
16
Асарлар

Ишонч сигналлари

1 дан 3 сигнал мавжуд

Мустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.

  • DOAJ
    Маълумот йўқ
    doaj.org
  • ОАК рўйхати
    Маълумот йўқ
    ОАК
  • Яроқли ISSN
    Мавжуд
    ISSN

Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.

Вақт бўйича

Вақт бўйича таҳлил

Иқтибос шарҳи

Йиллар бўйича нашрлар (устун) ва иқтибослар (чизиқ)

  • Нашрлар
  • Иқтибослар
0358100134520182020202120222023202420252018: Нашрлар 1, Иқтибослар 02020: Нашрлар 3, Иқтибослар 02021: Нашрлар 1, Иқтибослар 02022: Нашрлар 10, Иқтибослар 22023: Нашрлар 1, Иқтибослар 22024: Нашрлар 0, Иқтибослар 52025: Нашрлар 0, Иқтибослар 2

Иқтибос тарихи

0134520182020202120222023202420252018: Иқтибослар 02020: Иқтибослар 02021: Иқтибослар 02022: Иқтибослар 22023: Иқтибослар 22024: Иқтибослар 52025: Иқтибослар 2

Нашр тарихи

03581020182020202120222023202420252018: Нашрлар 12020: Нашрлар 32021: Нашрлар 12022: Нашрлар 102023: Нашрлар 12024: Нашрлар 02025: Нашрлар 0

h-индекс эволюцияси

Йиллар бўйича жамланган h-индекс

01220182020202120222023202420252018: h-индекс 02020: h-индекс 02021: h-индекс 02022: h-индекс 12023: h-индекс 12024: h-индекс 22025: h-индекс 2

Энг кўп иқтибос қилинган асарлар

  1. Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells20225 иқтибос
  2. Effect of the presence of a sufficiently high phosphorus concentration on the concentration distribution of gallium in silicon20222 иқтибос
  3. Features of the electrophysical parameters of silicon serially doped with impurity atoms of phosphorus and boron20221 иқтибос
  4. Polarization-spectral dependences of three-photon interband absorption of light and linear-circular dichroism in semiconductors with cubic symmetry20221 иқтибос
  5. Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами20221 иқтибос
  6. Comparative study of photocells based on silicon doped with nickel by various methods20221 иқтибос
  7. Эффект инжекционного обеднения в p-Si-n-(Si-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(ZnSe)-=SUB=-x-=/SUB=- (0≤ x≤0.01) гетероструктуре20180 иқтибос
  8. Анизотропия отрицательного магнетосопротивления в эапитаксиальных слоях GaMnAs20200 иқтибос
  9. Размерное квантование в n-GaP20200 иқтибос
  10. Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb-p-Si<Mn>-Au20200 иқтибос
AkademIndex'да кўриш →