Асосий контентга ўтиш
AkademScholar

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаДастурчилар API
Журнал

Radioelectronics and Communications Systems

ISSN:
0735-2727
1
h-индекс
4
Иқтибослар
10
Асарлар

Ишонч сигналлари

1 дан 3 сигнал мавжуд

Мустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.

  • DOAJ
    Маълумот йўқ
    doaj.org
  • ОАК рўйхати
    Маълумот йўқ
    ОАК
  • Яроқли ISSN
    Мавжуд
    ISSN

Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.

Вақт бўйича

Вақт бўйича таҳлил

Иқтибос шарҳи

Йиллар бўйича нашрлар (устун) ва иқтибослар (чизиқ)

  • Нашрлар
  • Иқтибослар
013450122008200920112012201520172018202020252008: Нашрлар 2, Иқтибослар 02009: Нашрлар 2, Иқтибослар 02011: Нашрлар 3, Иқтибослар 02012: Нашрлар 1, Иқтибослар 02015: Нашрлар 0, Иқтибослар 12017: Нашрлар 1, Иқтибослар 02018: Нашрлар 0, Иқтибослар 12020: Нашрлар 1, Иқтибослар 02025: Нашрлар 0, Иқтибослар 2

Иқтибос тарихи

0122008200920112012201520172018202020252008: Иқтибослар 02009: Иқтибослар 02011: Иқтибослар 02012: Иқтибослар 02015: Иқтибослар 12017: Иқтибослар 02018: Иқтибослар 12020: Иқтибослар 02025: Иқтибослар 2

Нашр тарихи

013452008200920112012201520172018202020252008: Нашрлар 22009: Нашрлар 22011: Нашрлар 32012: Нашрлар 12015: Нашрлар 02017: Нашрлар 12018: Нашрлар 02020: Нашрлар 12025: Нашрлар 0

h-индекс эволюцияси

Йиллар бўйича жамланган h-индекс

012008200920112012201520172018202020252008: h-индекс 02009: h-индекс 02011: h-индекс 02012: h-индекс 02015: h-индекс 12017: h-индекс 12018: h-индекс 12020: h-индекс 12025: h-индекс 1

Энг кўп иқтибос қилинган асарлар

  1. Influence of neutron radiation on breakdown voltage of silicon voltage limiter20122 иқтибос
  2. Calculation of resonance frequencies of electrons present in the contact area of two semiconductors20111 иқтибос
  3. Research of complex differential conductivity of multi-layer heterostructures20111 иқтибос
  4. Optical FET output characteristics research in light-activated mode20080 иқтибос
  5. Specialities of optical FET with tin-doped junction channel20080 иқтибос
  6. Measurement of efficient thickness of transition layer, stimulated by microwave radiation, in contacts Mo-GaAs20090 иқтибос
  7. Modification of Au-Ti(W, Cr, TiB x )-GaAs contacts properties caused by external influences20090 иқтибос
  8. Research of characteristics of multi-frequency laser radiation in case of mode retuning20110 иқтибос
  9. On mechanism of radiative sensitivity of power diode direct voltage drop20170 иқтибос
  10. Method for Compensation of Atmospheric Nonstationarity in Heterodyne Interferometer Measurements20200 иқтибос