Асосий контентга ўтиш
AkademScholar

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаДастурчилар API
Журнал

Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics

ISSN:
1560-8034
2
h-индекс
17
Иқтибослар
16
Асарлар

Ишонч сигналлари

1 дан 3 сигнал мавжуд

Мустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.

  • DOAJ
    Маълумот йўқ
    doaj.org
  • ОАК рўйхати
    Маълумот йўқ
    ОАК
  • Яроқли ISSN
    Мавжуд
    ISSN

Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.

Вақт бўйича

Вақт бўйича таҳлил

Иқтибос шарҳи

Йиллар бўйича нашрлар (устун) ва иқтибослар (чизиқ)

  • Нашрлар
  • Иқтибослар
01203581020102015201820192020202120222023202420252010: Нашрлар 2, Иқтибослар 02015: Нашрлар 1, Иқтибослар 02018: Нашрлар 1, Иқтибослар 02019: Нашрлар 1, Иқтибослар 02020: Нашрлар 2, Иқтибослар 22021: Нашрлар 0, Иқтибослар 22022: Нашрлар 1, Иқтибослар 22023: Нашрлар 0, Иқтибослар 72024: Нашрлар 0, Иқтибослар 22025: Нашрлар 0, Иқтибослар 1

Иқтибос тарихи

03581020102015201820192020202120222023202420252010: Иқтибослар 02015: Иқтибослар 02018: Иқтибослар 02019: Иқтибослар 02020: Иқтибослар 22021: Иқтибослар 22022: Иқтибослар 22023: Иқтибослар 72024: Иқтибослар 22025: Иқтибослар 1

Нашр тарихи

01220102015201820192020202120222023202420252010: Нашрлар 22015: Нашрлар 12018: Нашрлар 12019: Нашрлар 12020: Нашрлар 22021: Нашрлар 02022: Нашрлар 12023: Нашрлар 02024: Нашрлар 02025: Нашрлар 0

h-индекс эволюцияси

Йиллар бўйича жамланган h-индекс

01220102015201820192020202120222023202420252010: h-индекс 12015: h-индекс 12018: h-индекс 12019: h-индекс 12020: h-индекс 12021: h-индекс 12022: h-индекс 12023: h-индекс 22024: h-индекс 22025: h-индекс 2

Энг кўп иқтибос қилинган асарлар

  1. Clusters of nickel atoms and controlling their state in silicon lattice20189 иқтибос
  2. Current-voltage characteristic of the injection photodetector based on In–n-CdS–p-Si–In structure20195 иқтибос
  3. Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor20102 иқтибос
  4. Research of structures with corrugated photoreceiving surface20041 иқтибос
  5. Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface20020 иқтибос
  6. Effect of microwave treatment on the parameters of Au-TiBx-GaAs(SiC 6H) surface-barrier structures20030 иқтибос
  7. Features of growing epitaxial layers from solid solutions based on indium and aluminium arsenides20040 иқтибос
  8. Spectroscopy of (Si2)1-x(ZnS)x solid solutions20050 иқтибос
  9. p-n junctions obtained in (Ge2)x(GaAs)1–x varizone solid solutions by liquid phase epitaxy20050 иқтибос
  10. hotoconverters with microrelief p-n junction on a basis of p-AlxGa1-xAs – p-GaAs – n-GaAs – n+-GaAs heterojunction20050 иқтибос
AkademIndex'да кўриш →