Асосий контентга ўтиш
AkademScholar

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаДастурчилар API
Журнал

Inorganic Materials

ISSN:
0020-1685
7
h-индекс
151
Иқтибослар
68
Асарлар
0.00
2-йиллик ўртача иқтибос

Ишонч сигналлари

1 дан 3 сигнал мавжуд

Мустақил ижобий сигналлар — ягона “предатор/қонуний” ҳукми эмас, балки яқинлашувчи тасвир.

  • DOAJ
    Маълумот йўқ
    doaj.org
  • ОАК рўйхати
    Маълумот йўқ
    ОАК
  • Яроқли ISSN
    Мавжуд
    ISSN

Бу ахборот ёрлиғи, расмий қарор эмас. Сигнал йўқлиги жазо эмас — масалан, минтақавий журнал DOAJ'да бўлмаслиги мумкин.

Энг кўп иқтибос қилинган асарлар

  1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion201124 иқтибос
  2. A p-i-n Model of CdTe/CdS Heterostructures200511 иқтибос
  3. Self-organization of nickel atoms in silicon201110 иқтибос
  4. Ultrasonic annealing of surface states in the heterojunction of a p-Si/n-CdS/n +-CdS injection photodiode20149 иқтибос
  5. Fabrication and Properties of nSi–pCdTe Heterojunctions20208 иқтибос
  6. Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon20228 иқтибос
  7. Thermally Induced Deep Centers in Silicon Doped with Europium or Lanthanum20018 иқтибос
  8. Properties of Passivating Coatings Based on Lead Borosilicate Glass20026 иқтибос
  9. Current-voltage behavior of silicon containing nanoclusters of manganese atoms20146 иқтибос
  10. Experimental Assessment of the Nonuniform Radiation-Induced Space-Charge Distribution in the Surface Region of Silicon20015 иқтибос
AkademIndex'да кўриш →