Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Mualliflar

A.E. Abdikarimov

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Urganch davlat universiteti
ORCID:
0000-0003-1220-7482
3
h-indeks
0
i10-indeksi
22
Iqtiboslar
13
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0134503581020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 2, Iqtiboslar 22018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02019: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12020: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02021: Nashrlar 0, Iqtiboslar 72022: Nashrlar 3, Iqtiboslar 42023: Nashrlar 1, Iqtiboslar 12024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12025: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42026: Nashrlar 2, Iqtiboslar 2

Iqtibos tarixi

03581020172018201920202021202220232024202520262017: Iqtiboslar 22018: Iqtiboslar 02019: Iqtiboslar 12020: Iqtiboslar 02021: Iqtiboslar 72022: Iqtiboslar 42023: Iqtiboslar 12024: Iqtiboslar 12025: Iqtiboslar 42026: Iqtiboslar 2

Nashr tarixi

0134520172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 22018: Nashrlar 12019: Nashrlar 02020: Nashrlar 12021: Nashrlar 02022: Nashrlar 32023: Nashrlar 12024: Nashrlar 02025: Nashrlar 22026: Nashrlar 2

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520172018201920202021202220232024202520262017: h-indeks 12018: h-indeks 12019: h-indeks 12020: h-indeks 12021: h-indeks 22022: h-indeks 22023: h-indeks 22024: h-indeks 22025: h-indeks 32026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. The Effect of the Fin Shape and Thickness of the Buried Oxide on the DIBL Effect in an SOI FinFET20186 iqtibos
  2. Influence of device geometry on electrical characteristics of a 10.7 nm SOI-FinFET20145 iqtibos
  3. Simulation of DIBL effect in 25 nm SOI-FinFET with the different body shapes20174 iqtibos
  4. The effect of geometrical sizes on efficiency of vertical silicon tunnel junction solar cell for high solar concentration20222 iqtibos
  5. Simulation of DIBL effect in junctionless SOI MOSFETs with extended gate20172 iqtibos
  6. The Influence of a Single Charged Interface Trap on the Subthreshold Drain Current in FinFETs with Different Fin Shapes20201 iqtibos
  7. The Effect of Height on the Efficiency of Vertical Silicon Tunnel Junction Solar Cell for High Solar Concentration20231 iqtibos
  8. Temperature-dependent dark I–V transport and barrier inhomogeneity in VTE-grown CdTe/Si heterojunction20261 iqtibos
  9. Memristors: types, characteristics and prospects of use as the main element of the future artificial intelligence20220 iqtibos
  10. Capacitance-Voltage Method for Detecting the local oxide trapped charge in SOI FinFET20220 iqtibos

Hammualliflar

  1. A. É. Atamuratov8 ta umumiy asar2014–2025
  2. А. Yusupov5 ta umumiy asar2017–2023
  3. M. M. Khalilloev4 ta umumiy asar2017–2026
  4. Antonio J. García‐Loureiro3 ta umumiy asar2014–2022
  5. И. Н. Каримов2 ta umumiy asar2022–2025
  6. Mirzabahrom Foziljonov2 ta umumiy asar2022–2025
  7. B.Q. Jumaboyev2 ta umumiy asar2022–2023
  8. Zamira Atamuratova2 ta umumiy asar2017
  9. M. U. Hajiev1 ta umumiy asar2026
  10. Kh. N. Juraev1 ta umumiy asar2026

Barcha hammualliflar →

AkademIndex'da koʻrish →