Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Mualliflar

Р. Х. Хамидов

Ism variantlari: r x xamidov

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Namangan Institute of Engineering and Technology
ORCID:
0000-0001-8294-0378
2
h-indeks
1
i10-indeksi
18
Iqtiboslar
7
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
01205101520200020032012201920212022202320252000: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02003: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02012: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02019: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02021: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02022: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 132025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

05101520200020032012201920212022202320252000: Iqtiboslar 02003: Iqtiboslar 02012: Iqtiboslar 02019: Iqtiboslar 02021: Iqtiboslar 02022: Iqtiboslar 42023: Iqtiboslar 132025: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

012200020032012201920212022202320252000: Nashrlar 12003: Nashrlar 12012: Nashrlar 12019: Nashrlar 12021: Nashrlar 12022: Nashrlar 22023: Nashrlar 02025: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

012200020032012201920212022202320252000: h-indeks 02003: h-indeks 02012: h-indeks 02019: h-indeks 02021: h-indeks 02022: h-indeks 12023: h-indeks 22025: h-indeks 2

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Advanced Universal Hydrostatic Pressure Device with Pneumatic Amplifier for the Investigation of the Electrical and Thermal Properties of Semiconductors under Hydrostatic Pressure202211 iqtibos
  2. Wave processes in silicon samples with nickel impurities arising at pulsed hydrostatic pressure20213 iqtibos
  3. Dynamic strain-sensitive characteristics of the Schottky-barrier diodes under a pulsed uniform pressure20002 iqtibos
  4. Tensoresistive effects in tin-doped silicon under static and dynamic pressure conditions20031 iqtibos
  5. The relative current change, concentration, and carrier mobility in silicon samples doped nickel and at pulse hydrostatic pressure20191 iqtibos
  6. Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску20120 iqtibos
  7. Electric voltage redistribution effect in Schottky barrier structures based on Si<P,Ni> under hydrostatic pressure20220 iqtibos

Hammualliflar

  1. О. О. Маматкаримов6 ta umumiy asar2000–2022
  2. A. A. Abdukarimov1 ta umumiy asar2019
  3. Р. Г. Жабборов1 ta umumiy asar2012
  4. У. А. Туйчиев1 ta umumiy asar2012
  5. Б. Х. Кучкаров1 ta umumiy asar2012
  6. Odiljon Mamatkarimov1 ta umumiy asar2012
  7. U. A. Tuichiev1 ta umumiy asar2000
  8. Azizbek Abduraimov1 ta umumiy asar2000
  9. С. З. Зайнабидинов1 ta umumiy asar2000
AkademIndex'da koʻrish →