Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar
Mualliflar

Т. Т. Muratov

Ism variantlari: t t muratov

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Oʻzbekiston milliy pedagogika universiteti
ORCID:
0000-0002-0905-6620
1
h-indeks
0
i10-indeksi
1
Iqtiboslar
10
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
0120120132014201620192021202320242013: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02014: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02016: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02019: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02021: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02023: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02024: Nashrlar 1, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

0120132014201620192021202320242013: Iqtiboslar 02014: Iqtiboslar 02016: Iqtiboslar 02019: Iqtiboslar 02021: Iqtiboslar 02023: Iqtiboslar 02024: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

01220132014201620192021202320242013: Nashrlar 12014: Nashrlar 22016: Nashrlar 12019: Nashrlar 12021: Nashrlar 22023: Nashrlar 22024: Nashrlar 1

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0120132014201620192021202320242013: h-indeks 02014: h-indeks 02016: h-indeks 02019: h-indeks 02021: h-indeks 02023: h-indeks 02024: h-indeks 1

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. The Effect of Stabilizing the Lifetime of Charge Carriers in Semiconductors in a Magnetic Field20231 iqtibos
  2. Formalism «Magneto Cross-Sections» of D– (A+ )-Centers at Resonance Scattering of Charged Carriers in Angenerated Semiconductors20130 iqtibos
  3. CONTRIBUTION OF RESONANCE SCATTERING OF QUASI-TWOAND THREE-DIMENSIONAL MOBILE CARRIERS TO DISSIPATION OF CLASSICAL CYCLOTRON RESONANCE CURVE20140 iqtibos
  4. Вклад резонансного рассеяния носителей заряда в уширение кривой классического циклотронного резонанса в квазидвух- и трехмерных полупроводниках20140 iqtibos
  5. CORRECTION TO TRANSPORT CROSS-SECTION OF CHARGED CARRIERS IN SEMICONDUCTORS20160 iqtibos
  6. Recombination of Mobile Carriers Across Boron Excited Levels in Silicon at Low Temperatures20190 iqtibos
  7. Donor-Level Energy and Width near the Heterointerface20210 iqtibos
  8. Statistical approach to the process of tunnel ionisation of impurity centres near the heterointerface20210 iqtibos
  9. Effect stability of lifetime of charged carrier in semiconductorsat a magnetic field20230 iqtibos
  10. Refinement of calculation of the parameters of a light diffraction on flat objects20240 iqtibos