Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Mahsulotlar

Ishlab chiquvchilar uchun

AkademBasetez oradaDasturchilar API
Mualliflar

A. Yu. Leyderman

Soʻnggi maʼlum muassasa:
Academy of Sciences Republic of Uzbekistan
ORCID:
0000-0002-6012-6268
4
h-indeks
1
i10-indeksi
43
Iqtiboslar
12
Asarlar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
01203581020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 32019: Nashrlar 0, Iqtiboslar 22020: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42021: Nashrlar 2, Iqtiboslar 32022: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 72024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 52025: Nashrlar 0, Iqtiboslar 32026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 1

Iqtibos tarixi

03581020172018201920202021202220232024202520262017: Iqtiboslar 12018: Iqtiboslar 32019: Iqtiboslar 22020: Iqtiboslar 42021: Iqtiboslar 32022: Iqtiboslar 02023: Iqtiboslar 72024: Iqtiboslar 52025: Iqtiboslar 32026: Iqtiboslar 1

Nashr tarixi

01220172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 02018: Nashrlar 12019: Nashrlar 02020: Nashrlar 22021: Nashrlar 22022: Nashrlar 12023: Nashrlar 02024: Nashrlar 02025: Nashrlar 02026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520172018201920202021202220232024202520262017: h-indeks 22018: h-indeks 32019: h-indeks 32020: h-indeks 32021: h-indeks 32022: h-indeks 32023: h-indeks 42024: h-indeks 42025: h-indeks 42026: h-indeks 4

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. I–V characteristic of p-n structures based on a continuous solid solutions (Si2)1 − xx (CdS) x200913 iqtibos
  2. Study of the current-voltage characteristic of the n-CdS/p-CdTe heterostructure depending on temperature20108 iqtibos
  3. Possibility of obtaining the (GaSb)1 − x (Si2) x films on silicon substrates by the method of liquid-phase epitaxy20098 iqtibos
  4. The thermovoltaic effect in variband solid solution Si1–x Ge x (0 ≤ x ≤ 1)20164 iqtibos
  5. Effect of Injection Depletion in p-Si–n-(Si2)1 –x(ZnSe)x (0 ≤ x ≤ 0.01) Heterostructure20184 iqtibos
  6. Features of polycrystalline silicon fabricated by fivefold remelting in a solar furnace20102 iqtibos
  7. Processes of Current Transport in p-Si-n-(Si<sub>2</sub>)<sub>1−</sub><i><sub>y</sub></i><sub>−</sub><i><sub>z</sub></i>(GaP)<i><sub>y</sub></i>(ZnSe)<i><sub>z</sub></i> Heterostructure Produced by Liquid Phase Epitaxy20221 iqtibos
  8. Determining certain physical settings of photocells20110 iqtibos
  9. Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity20200 iqtibos
  10. Nomsiz asar20200 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →