Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Muassasalar

Technische Universität Ilmenau

Nom variantlari: TU Ilmenau

Davlat:
DE
ROR:
https://ror.org/01weqhp73
5
h-indeks
128
Iqtiboslar
44
Asarlar
58
Mualliflar
Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
03581001325385020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02018: Nashrlar 1, Iqtiboslar 22019: Nashrlar 1, Iqtiboslar 12020: Nashrlar 1, Iqtiboslar 32021: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42022: Nashrlar 1, Iqtiboslar 52023: Nashrlar 1, Iqtiboslar 222024: Nashrlar 6, Iqtiboslar 102025: Nashrlar 3, Iqtiboslar 422026: Nashrlar 3, Iqtiboslar 26

Iqtibos tarixi

01325385020172018201920202021202220232024202520262017: Iqtiboslar 02018: Iqtiboslar 22019: Iqtiboslar 12020: Iqtiboslar 32021: Iqtiboslar 42022: Iqtiboslar 52023: Iqtiboslar 222024: Iqtiboslar 102025: Iqtiboslar 422026: Iqtiboslar 26

Nashr tarixi

03581020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 22018: Nashrlar 12019: Nashrlar 12020: Nashrlar 12021: Nashrlar 22022: Nashrlar 12023: Nashrlar 12024: Nashrlar 62025: Nashrlar 32026: Nashrlar 3

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520172018201920202021202220232024202520262017: h-indeks 22018: h-indeks 22019: h-indeks 22020: h-indeks 22021: h-indeks 22022: h-indeks 32023: h-indeks 32024: h-indeks 42025: h-indeks 42026: h-indeks 5

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Discrete Schrödinger equation on graphs: An effective model for branched quantum lattice202430 iqtibos
  2. Transparent boundary conditions for the stationary Schrödinger equation via Weyl–Titchmarsh theory<sup>*</sup>202516 iqtibos
  3. The contribution of gate and drain voltages to temperature distribution along the channel in 2D MoS<sub>2</sub> based MOSFET20212 iqtibos
  4. Simulation of DIBL effect in junctionless SOI MOSFETs with extended gate20172 iqtibos
  5. High-temperature high-dose implantation of N+ and Al+ ions in 6H-SiC19970 iqtibos
  6. Theoretical description of high-temperature implantation of silicon carbide with N+ and Al+ ions19980 iqtibos
  7. Modelling the Formation of Nano-Sized SiC on Si20030 iqtibos
  8. Multi-Scale Simulation of MBE-Grown SiC/Si Nanostructures20060 iqtibos
  9. Ad Hoc Networking Solutions20110 iqtibos
  10. Simulation of Random Telegraph Noise in Nanometer nMOSFET Induced by Interface and Oxide Trapped Charge20130 iqtibos