Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Jurnal

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

ISSN:
1348-0391
3
h-indeks
38
Iqtiboslar
10
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
012035810201920202021202220232024202520262019: Nashrlar 1, Iqtiboslar 02020: Nashrlar 1, Iqtiboslar 12021: Nashrlar 1, Iqtiboslar 102022: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42023: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02024: Nashrlar 2, Iqtiboslar 102025: Nashrlar 1, Iqtiboslar 62026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 7

Iqtibos tarixi

035810201920202021202220232024202520262019: Iqtiboslar 02020: Iqtiboslar 12021: Iqtiboslar 102022: Iqtiboslar 42023: Iqtiboslar 02024: Iqtiboslar 102025: Iqtiboslar 62026: Iqtiboslar 7

Nashr tarixi

012201920202021202220232024202520262019: Nashrlar 12020: Nashrlar 12021: Nashrlar 12022: Nashrlar 22023: Nashrlar 22024: Nashrlar 22025: Nashrlar 12026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

01345201920202021202220232024202520262019: h-indeks 02020: h-indeks 12021: h-indeks 22022: h-indeks 22023: h-indeks 22024: h-indeks 32025: h-indeks 32026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Determination of the Dependence of Transverse Electrical Conductivity and Magnetoresistance Oscillations on Temperature in Heterostructures Based on Quantum Wells202315 iqtibos
  2. Computer Simulation of Scattering Xe<sup>+</sup> Ions from InP(001)❬110❭ Surface at Grazing Incidence201911 iqtibos
  3. Low Energy Ar<sup>+</sup> Ion Scattering on InGaP(001) Surface20207 iqtibos
  4. Changing the Voltage of the p-n Junction in a Magnetic Field20233 iqtibos
  5. Processes of Current Transport in p-Si-n-(Si<sub>2</sub>)<sub>1−</sub><i><sub>y</sub></i><sub>−</sub><i><sub>z</sub></i>(GaP)<i><sub>y</sub></i>(ZnSe)<i><sub>z</sub></i> Heterostructure Produced by Liquid Phase Epitaxy20221 iqtibos
  6. Structural, Compositional, and Photoluminescence Properties of CsPbBr<sub>3</sub> Thin Films Grown by Single-source Thermal Vacuum Chemical Vapor Deposition20251 iqtibos
  7. Amplitude of Random Telegraph Noise in Junctionless FinFET with Different Channel Shape20210 iqtibos
  8. Capacitance Method for Identifying Degradation due to Electrical Stress in MOSFETs20220 iqtibos
  9. Structural Features of the Epitaxial Layer of the (GaAs)<sub>1−</sub><i><sub>y</sub></i><sub>−</sub><i><sub>z</sub></i>(Ge<sub>2</sub>)<i><sub>y</sub></i>(ZnSe)<i><sub>z</sub></i> Solid Solution Grown from a Bismuth Solution Melt20240 iqtibos
  10. Influence of Temperature on Characteristics of a Diode with a p-n Junction in a Magnetic Field20240 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →