Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Jurnal

Technical Physics Letters

ISSN:
1063-7850
6
h-indeks
222
Iqtiboslar
356
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
03581001325385020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42018: Nashrlar 4, Iqtiboslar 42019: Nashrlar 5, Iqtiboslar 82020: Nashrlar 7, Iqtiboslar 102021: Nashrlar 6, Iqtiboslar 182022: Nashrlar 2, Iqtiboslar 172023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 442024: Nashrlar 0, Iqtiboslar 302025: Nashrlar 1, Iqtiboslar 152026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 5

Iqtibos tarixi

01325385020172018201920202021202220232024202520262017: Iqtiboslar 42018: Iqtiboslar 42019: Iqtiboslar 82020: Iqtiboslar 102021: Iqtiboslar 182022: Iqtiboslar 172023: Iqtiboslar 442024: Iqtiboslar 302025: Iqtiboslar 152026: Iqtiboslar 5

Nashr tarixi

03581020172018201920202021202220232024202520262017: Nashrlar 22018: Nashrlar 42019: Nashrlar 52020: Nashrlar 72021: Nashrlar 62022: Nashrlar 22023: Nashrlar 02024: Nashrlar 02025: Nashrlar 12026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

03581020172018201920202021202220232024202520262017: h-indeks 42018: h-indeks 42019: h-indeks 42020: h-indeks 42021: h-indeks 42022: h-indeks 52023: h-indeks 62024: h-indeks 62025: h-indeks 62026: h-indeks 6

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Studying the Effect of Doping with Nickel on Silicon-Based Solar Cells with a Deep p–n-Junction201914 iqtibos
  2. Injection photodiode based on p-CdTe film201212 iqtibos
  3. Thermal spikes observed during the tantalum sputtering by gold cluster ions200312 iqtibos
  4. Features of the behavior of lanthanum and hafnium atoms in silicon200610 iqtibos
  5. Effect of electric field, illumination, and temperature on negative magnetoresistance of low-temperature-diffusion-doped silicon20108 iqtibos
  6. The Effect of the Fin Shape and Thickness of the Buried Oxide on the DIBL Effect in an SOI FinFET20186 iqtibos
  7. Developing Si(Li) nuclear radiation detectors by pulsed electric field treatment20096 iqtibos
  8. The Effect of the Formation of Silicides on the Resistivity of Silicon20195 iqtibos
  9. The Self-Heating Effect in Junctionless Fin Field-Effect Transistors Based on Silicon-on-Insulator Structures with Different Channel Shapes20215 iqtibos
  10. Adsorption of Ba Atoms Influences the Composition, Emission, and Optical Properties of CdS Single Crystals20215 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →