Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar

Kashfiyot

Xizmatlar

Identifikatsiya

Ishlab chiquvchilar uchun

Ekotizim

Jurnal

Russian Microelectronics

ISSN:
1063-7397
3
h-indeks
30
Iqtiboslar
12
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
01203581020132014201920202021202220232024202520262013: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12014: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12019: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12020: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12021: Nashrlar 0, Iqtiboslar 32022: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12023: Nashrlar 2, Iqtiboslar 42024: Nashrlar 2, Iqtiboslar 102025: Nashrlar 1, Iqtiboslar 22026: Nashrlar 0, Iqtiboslar 2

Iqtibos tarixi

03581020132014201920202021202220232024202520262013: Iqtiboslar 12014: Iqtiboslar 12019: Iqtiboslar 12020: Iqtiboslar 12021: Iqtiboslar 32022: Iqtiboslar 12023: Iqtiboslar 42024: Iqtiboslar 102025: Iqtiboslar 22026: Iqtiboslar 2

Nashr tarixi

01220132014201920202021202220232024202520262013: Nashrlar 02014: Nashrlar 02019: Nashrlar 02020: Nashrlar 02021: Nashrlar 02022: Nashrlar 02023: Nashrlar 22024: Nashrlar 22025: Nashrlar 12026: Nashrlar 0

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520132014201920202021202220232024202520262013: h-indeks 12014: h-indeks 12019: h-indeks 12020: h-indeks 12021: h-indeks 12022: h-indeks 12023: h-indeks 22024: h-indeks 32025: h-indeks 32026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Optical Properties of ZnO–LiNbO3 and ZnO–LiNbO3:Fe Structures202310 iqtibos
  2. Photoconductivity of silicon with nanoclusters of manganese atoms201010 iqtibos
  3. IR photodetectors in the range of λ = 1.5–8 μm, based on silicon with multicharged nanoclusters of manganese atoms20127 iqtibos
  4. Silicon solar cells with Si-Ge microheterojunctions20121 iqtibos
  5. Digital Shearograph for Detecting Defect in Materials20231 iqtibos
  6. Minority-Carrier Generation at the Interface between Silicon and Lead Borosilicate Glass20011 iqtibos
  7. Density of states at a gamma-irradiated Si/SiO2 interface: The effect of ultrasonic treatment20050 iqtibos
  8. Experimental studies in quantum cryptography20110 iqtibos
  9. Resistance of diamond optics to high-power fiber laser radiation20120 iqtibos
  10. Influence of Nickel Impurity on the Operating Parameters of a Silicon Solar Cell20240 iqtibos
AkademIndex'da koʻrish →