Asosiy kontentga oʻtish
AkademScholar
Jurnal

Radiation effects and defects in solids

ISSN:
1026-549X
3
h-indeks
26
Iqtiboslar
21
Asarlar

Ishonch signallari

1 dan 3 signal mavjud

Mustaqil ijobiy signallar — yagona “predator/qonuniy” hukmi emas, balki yaqinlashuvchi tasvir.

  • DOAJ
    Maʼlumot yoʻq
    doaj.org
  • OAK roʻyxati
    Maʼlumot yoʻq
    OAK
  • Yaroqli ISSN
    Mavjud
    ISSN

Bu axborot yorligʻi, rasmiy qaror emas. Signal yoʻqligi jazo emas — masalan, mintaqaviy jurnal DOAJ'da boʻlmasligi mumkin.

Vaqt boʻyicha

Vaqt boʻyicha tahlil

Iqtibos sharhi

Yillar boʻyicha nashrlar (ustun) va iqtiboslar (chiziq)

  • Nashrlar
  • Iqtiboslar
013450134520102017201820192020202220232024202520262010: Nashrlar 2, Iqtiboslar 02017: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12018: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12019: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12020: Nashrlar 0, Iqtiboslar 12022: Nashrlar 1, Iqtiboslar 22023: Nashrlar 0, Iqtiboslar 32024: Nashrlar 1, Iqtiboslar 52025: Nashrlar 3, Iqtiboslar 42026: Nashrlar 1, Iqtiboslar 5

Iqtibos tarixi

0134520102017201820192020202220232024202520262010: Iqtiboslar 02017: Iqtiboslar 12018: Iqtiboslar 12019: Iqtiboslar 12020: Iqtiboslar 12022: Iqtiboslar 22023: Iqtiboslar 32024: Iqtiboslar 52025: Iqtiboslar 42026: Iqtiboslar 5

Nashr tarixi

0134520102017201820192020202220232024202520262010: Nashrlar 22017: Nashrlar 02018: Nashrlar 02019: Nashrlar 02020: Nashrlar 02022: Nashrlar 12023: Nashrlar 02024: Nashrlar 12025: Nashrlar 32026: Nashrlar 1

h-indeks evolyutsiyasi

Yillar boʻyicha jamlangan h-indeks

0134520102017201820192020202220232024202520262010: h-indeks 12017: h-indeks 12018: h-indeks 22019: h-indeks 22020: h-indeks 22022: h-indeks 22023: h-indeks 22024: h-indeks 32025: h-indeks 32026: h-indeks 3

Eng koʻp iqtibos qilingan asarlar

  1. Formation of defects on the surface of LiF crystals under irradiation with different ions mass20229 iqtibos
  2. Structure and morphology of electron-irradiated ZnSe20255 iqtibos
  3. Low energy ion scattering by atomic steps on the single crystal surface20044 iqtibos
  4. Ranges and profiles of distribution of low-energy ions channeling in metal and semiconductor single crystals20033 iqtibos
  5. The radiation-induced defects production in P-type silicon doped by impurities of transitional elements20003 iqtibos
  6. Interaction of deep impurities with radiation defects in n-Si at γ-irradiation20052 iqtibos
  7. Local instability in BaF<sub>2</sub>:Mn<sup>2+</sup>: Analysis of lattice relaxation19910 iqtibos
  8. Creation and optical properties of stable and metastable hole-trapped centres in beryllium oxide19910 iqtibos
  9. Depth profiles of Sb atoms implanted into Ti19910 iqtibos
  10. Study of ion-bombardment-induced surface topography of silver by stereophotogrammetric method19920 iqtibos